[发明专利]接触孔填充缺陷监控方法及其监控系统

权利要求书

1.一种接触孔填充缺陷监控方法，其特征在于，以下步骤包括：

S1，制作多个具有接触孔的晶圆，各晶圆的膜厚不相同；

S2，接触孔钨平坦化后，计算接触孔中没有填充钨的缺陷孔洞面积与接触孔面积比作为钨填充缺陷面积比，建立数据库；

S3，流片至后续工艺，测量接触孔阻值，根据阻值判断钨填充缺陷面积比是否影响产品良率并计入所述数据库；

S4，以不同膜厚为变量，以钨填充缺陷面积比为应变量，建立第一线性函数；

S5，线上测量晶圆研磨后膜厚，将该膜厚带入第一线性函数获得其对应钨填充缺陷面积比，根据钨填充缺陷面积比查询数据库获得该膜厚是否影响良品率。

2.如权利要求1所述的接触孔填充缺陷监控方法，其特征在于：实施步骤S5时，线上测量各晶圆研磨后膜厚的上限值和下限值，将膜厚的上限值和下限值带入第一线性函数分别获得膜厚的上限值对应的钨填充缺陷面积比以及膜厚的下限值对应的钨填充缺陷面积比，根据膜厚的上限值和下限值分别对应的钨填充缺陷面积比查询数据库获得该膜厚的上限值和下限值是否影响良品率。

3.一种接触孔填充缺陷监控方法，其特征在于，以下步骤包括：

S6，制作多个具有接触孔的晶圆，各晶圆的接触孔半径不相同；

S7，接触孔钨平坦化后，计算接触孔中没有填充钨的缺陷孔洞面积与接触孔面积比作为钨填充缺陷面积比，建立数据库；

S8，流片至后续工艺，测量接触孔阻值，根据阻值判断钨填充缺陷面积比是否影响产品良率并计入所述数据库；

S9，以不同接触孔半径为变量，以钨填充缺陷面积比为应变量，建立第二线性函数；

S10，线上测量个晶圆刻蚀后接触孔半径，将该接触孔半径带入第二线性函数获得其对应钨填充缺陷面积比，根据钨填充缺陷面积比查询数据库获得该半径是否影响良品率。

4.如权利要求3所述的接触孔填充缺陷监控方法，其特征在于：实施步骤S10时，线上测量各晶圆刻蚀后接触孔半径的上限值和下限值，将接触孔半径的上限值和下限值带入第二线性函数分别获得接触半径的上限值和下限值分别对应的钨填充缺陷面积比，根据接触半径的上限值和下限值分别对应的钨填充缺陷面积比查询数据库获得接触孔半径的上限值和下限值是否影响良品率。

5.如权利要求1或3所述的接触孔填充缺陷监控方法，其特征在于：通过SEM 拍摄晶圆，通过图像计算获得钨填充面积与填充孔洞面积比作为钨填充缺陷面积比。

6.如权利要求1或3所述的接触孔填充缺陷监控方法，其特征在于：应用14nm或者28nm工艺的高深宽比接触孔，所述高深宽比为深宽比大于4。

7.一种接触孔填充缺陷监控系统，其集成于生产机台，其特征在于，包括：

测量模块，其用于测量晶圆的膜厚、接触孔半径、接触孔阻值以及线上测量各晶圆研磨后膜厚；

拍摄模块，其用于对晶圆进行拍照获得晶圆图片；

第一计算模块，其用于根据晶圆图片计算获得接触孔中没有填充钨的缺陷孔洞面积与接触孔面积比作为钨填充缺陷面积比，输出至数据库；

判断模块，其用于根据阻值判断钨填充缺陷面积比是否影响产品良率并计入数据库；

第二计算模块，其用于以不同膜厚为变量，以钨填充缺陷面积比为应变量，建立第一线性函数；

以及，将线上测量晶圆研磨后膜厚带入第一线性函数获得其对应钨填充缺陷面积比，根据钨填充缺陷面积比查询数据库获得该膜厚是否影响良品率。

8.如权利要求7所述的接触孔填充缺陷监控系统，其特征在于：第二计算模块，其线上测量各晶圆研磨后膜厚的上限值和下限值，将膜厚的上限值和下限值带入第一线性函数，分别获得膜厚的上限值对应的钨填充缺陷面积比以及膜厚的下限值对应的钨填充缺陷面积比，根据膜厚的上限值和下限值分别对应的钨填充缺陷面积比查询数据库获得该膜厚的上限值和下限值是否影响良品率。