[发明专利]钙钛矿发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.钙钛矿发光二极管，包括：

第一电极；

面向第一电极的第二电极；

在所述第一电极与所述第二电极之间的包含钙钛矿的发光层；

在所述第一电极与所述发光层之间的空穴传输区；

在所述第二电极与所述发光层之间的电子传输区；

其中，在所述发光层的一侧表面或两侧表面上直接设置厚度为3纳米至10纳米的PMMA层。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿发光二极管，其中，所述钙钛矿由式APbX₃表示，其中A选自CH(NH₂)₂⁺、CH₃NH₂⁺、Cs⁺及其任意组合，X选自I^-、Br^-、Cl^-及其任何组合；

任选地，所述发光层的厚度为30纳米至100纳米。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿发光二极管，其中，所述空穴传输区包括空穴注入层和/或空穴传输层，以及任选的电子阻挡层；

任选地，所述空穴传输区的厚度为20纳米至70纳米；

任选地，所述PMMA层存在于所述发光层与所述空穴传输区之间。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿发光二极管，其中，所述电子传输区包括电子注入层和/或电子传输层，以及任选的空穴阻挡层；

任选地，所述电子传输区的厚度为20纳米至70纳米；

任选地，所述PMMA层存在于所述发光层与所述电子传输区之间。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿发光二极管，其中，所述空穴传输区为空穴注入层，空穴注入材料选自PEDOT:PSS、NiO_x、PTAA、TFB、聚TPD和Spiro-OMeTAD，并且所述PMMA层存在于所述发光层与所述空穴注入层之间，其中0.5≤x≤2；和/或

所述电子传输层为电子注入层，电子注入材料选自ZnO/PEIE、TiO₂、SnO₂、PCBM、TPBi和TmPyPb，并且所述PMMA层存在于所述发光层与所述电子注入层之间。

6.制备权利要求1所述的钙钛矿二极管的方法，包括：

提供第一电极；

在所述第一电极上提供空穴传输区或电子传输区；

在所述空穴传输区或电子传输区上提供包含钙钛矿发光材料的发光层，其中在所述发光层的一侧表面或两侧表面上直接设置厚度为3纳米至10纳米的PMMA层；

在所述发光层上或所述发光层上的PMMA层上提供相对应的电子传输区或空穴传输区；以及

在所述相对应的电子传输区或空穴传输区上提供第二电极。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，将PMMA以1.5-5毫克/毫升的比例溶解在溶剂中，然后施用于所述发光层的一侧表面或两侧表面上并干燥，从而获得所述PMMA层；

任选地，将PMMA以1.5-5毫克/毫升的比例溶解在溶剂中，在40℃至60℃的温度搅拌24小时以上，然后旋涂在所述发光层的一侧表面或两侧表面上并干燥，从而获得所述PMMA层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述溶剂选自丙酮、甲醇、氯苯和甲苯中的一种或多种；

所述旋涂制备过程在丙酮气体和氮气气体的混合气体环境下进行；

所述干燥是在40-60℃干燥15-30分钟。