[发明专利]图像传感器掺杂外延层形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器掺杂外延层形成方法，其特征在于，其包括以下步骤：

一.在晶圆上进行第一次外延生长生成第一外延层；

二.在第一外延层形成贯穿一外延层的第一外延沟槽隔离；

三.对外延层进行第一次离子注入；

四.在晶圆的第一外延层上进行第二次外延生长生成第二外延层；

五.在第二外延形成贯穿二外延层并连通第一外延沟槽隔离的第二外延沟槽隔离；

六.对外延层进行第二次离子注入；

七.形成图像传感器掺杂外延层。

2.根据权利要求1所述的图像传感器掺杂外延层形成方法，其特征在于，

步骤六之后,(1)在晶圆第二外延层上进行第三次外延生长生成第三外延层，(2)在第三外延形成贯穿第三外延层并连通第二外延沟槽隔离的第三外延沟槽隔离，(3)对外延层进行第三次离子注入；

然后，进入步骤七。

3.根据权利要求1所述的图像传感器掺杂外延层形成方法，其特征在于，

步骤六之后，(1)在晶圆第二外延层上进行第三次外延生长生成第三外延层，(2)在第三外延形成贯穿第三外延层并连通第二外延沟槽隔离的第三外延沟槽隔离，(3)对外延层进行第三次离子注入；(4)在晶圆第三外延层上进行第四次外延生长生成第四外延层，(5)在第四外延形成贯穿第四外延层并连通第三外延沟槽隔离的第四外延沟槽隔离，(6)对外延层进行第四次离子注入；

然后，进入步骤七。

4.根据权利要求1到3任一项所述的图像传感器掺杂外延层形成方法，其特征在于，

每一次生长的外延层厚度均小于3.6um。

5.根据权利要求1到3任一项所述的图像传感器掺杂外延层形成方法，其特征在于，

后一次离子注入的剂量大于前一次离子注入的剂量。

6.根据权利要求1到3任一项所述的图像传感器掺杂外延层形成方法，其特征在于，

后一次离子注入的能量大于前一次离子注入的能量。

7.根据权利要求1到3任一项所述的图像传感器掺杂外延层形成方法，其特征在于，

各次离子注入的剂量均在1e12～5e13之间。

8.根据权利要求1到3任一项所述的图像传感器掺杂外延层形成方法，其特征在于，

各次离子注入的能量均在500kev～2500kev之间。

9.根据权利要求1到3任一项所述的图像传感器掺杂外延层形成方法，其特征在于，

步骤七形成的图像传感器掺杂外延层总厚度大于或等于5um。