[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

位线和公共源极线，所述位线和所述公共源极线连接至存储器单元阵列，其中，所述位线和所述公共源极线在第一层级中彼此间隔开；

焊盘图案，所述焊盘图案在所述第一层级中与所述位线和所述公共源极线间隔开；

第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述位线、所述公共源极线和所述焊盘图案；

遮蔽图案，所述遮蔽图案与所述位线交叠并设置在所述第一绝缘层上；

第一上配线和第二上配线，所述第一上配线和所述第二上配线在所述遮蔽图案上方彼此间隔开；

第一接触插塞，所述第一接触插塞从所述焊盘图案延伸以与所述第一上配线接触；

第二接触插塞，所述第二接触插塞从所述公共源极线延伸以与所述第二上配线接触；

第一间隔物绝缘层，所述第一间隔物绝缘层从所述遮蔽图案和所述第一接触插塞之间朝向所述第一上配线延伸；以及

第二间隔物绝缘层，所述第二间隔物绝缘层从所述遮蔽图案和所述第二接触插塞之间朝向所述第二上配线延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括与所述遮蔽图案交叠的第二绝缘层，

其中，所述第一间隔物绝缘层、所述第二间隔物绝缘层、所述第一接触插塞和所述第二接触插塞中的每一个延伸以贯穿所述第二绝缘层。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一间隔物绝缘层和所述第二间隔物绝缘层中的每一个包括朝向所述遮蔽图案的侧壁突出的突出部。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

第三接触插塞，所述第三接触插塞从所述遮蔽图案延伸以与所述第二上配线接触；以及

第三间隔物绝缘层，所述第三间隔物绝缘层在所述遮蔽图案上围绕所述第三接触插塞的侧壁。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述第三间隔物绝缘层形成为短于所述第一间隔物绝缘层和所述第二间隔物绝缘层中的每一个。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一上配线是用于传输电源电压或接地电压的电源线。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述位线包括与所述第一上配线交叠的第一位线和与所述第二上配线交叠的第二位线。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述存储器单元阵列包括：

源极半导体层，所述源极半导体层包括掺杂剂；

沟道结构，所述沟道结构从所述源极半导体层延伸；以及

层间绝缘层和导电图案，所述层间绝缘层和所述导电图案交替地层叠在所述源极半导体层上，其中，所述层间绝缘层和所述导电图案围绕所述沟道结构。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

漏极接触结构，所述漏极接触结构将所述位线连接至所述沟道结构；以及

源极接触结构，所述源极接触结构将所述公共源极线连接至所述源极半导体层。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一间隔物绝缘层和所述第二间隔物绝缘层包括与所述第一绝缘层的绝缘材料不同的绝缘材料。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一绝缘层包括氮掺杂的碳化硅，并且

所述第一间隔物绝缘层和所述第二间隔物绝缘层中的每一个包括氧化物。