[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法在审
申请号: | 202010862414.0 | 申请日: | 2020-08-25 |
公开(公告)号: | CN112992959A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 张宗燮;许义康;百永锡;徐嘏娜 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32;H01L33/38;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 习瑞恒;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
本发明涉及一种显示装置及显示装置的制造方法。显示装置包括:基板,包括显示区域和包围显示区域的非显示区域;显示元件层,设置于基板上。显示元件层包括:第一电极和第二电极,分别沿第一方向延伸,沿与第一方向不同的第二方向彼此隔开;第一发光元件,电连接于第一电极及第二电极;第一虚设电极,沿第一方向延伸,与第一电极及第二电极隔开;第二虚设电极,沿第一方向彼此隔开,与第一电极、第二电极及第一虚设电极隔开;第二发光元件,电连接于第一虚设电极和第二虚设电极。非显示区域包括位于显示区域的至少一侧的虚设区域,第一电极及第二电极和第一发光元件设置于显示区域,第一虚设电极、第二虚设电极及第二发光元件设置于虚设区域。
技术领域
本发明涉及一种显示装置及显示装置的制造方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,以下,称为LED)即使在恶劣的环境条件下也表现出相对良好的耐久性,并且在寿命及亮度方面也具有优异的性能。近来,正在积极进行用于将这样的LED应用到多样的显示装置的研究。
作为这种研究的一环,正在开发利用无机晶体结构(作为一例,使氮化物系半导体生长的结构)来制造微米级或纳米级程度小的超小型的杆形LED的技术。作为一例,杆形LED可以制造为能够构成自发光显示装置的像素等程度较小的尺寸。
发明内容
本发明要解决的课题在于提供一种能够易于测量发光元件的接触电阻的显示装置及显示装置的制造方法。
根据本发明的一实施例的显示装置可以包括:基板,包括显示区域和包围所述显示区域的非显示区域;以及显示元件层,设置于所述基板上。所述显示元件层可以包括:第一电极和第二电极,分别沿第一方向延伸,并且在与所述第一方向不同的第二方向上彼此隔开;第一发光元件,电连接于所述第一电极及所述第二电极;第一虚设电极,沿所述第一方向延伸,并且与所述第一电极及第二电极隔开;第二虚设电极,沿所述第一方向彼此隔开,并且与所述第一电极、所述第二电极及所述第一虚设电极隔开;以及第二发光元件,电连接于所述第一虚设电极和所述第二虚设电极。所述非显示区域可以包括位于所述显示区域的至少一侧的虚设区域,所述第一电极及第二电极和所述第一发光元件设置于所述显示区域上,所述第一虚设电极、第二虚设电极及所述第二发光元件设置于所述虚设区域上。
在本发明的一实施例中,所述第一电极可以包括朝向所述第二电极凸出的第一凸出部,所述第二电极包括朝向所述第一电极凸出的第二凸出部,所述第一发光元件设置于所述第一凸出部与所述第二凸出部之间。
在本发明的一实施例中,在各个所述第二虚设电极与所述第一虚设电极之间可以设置有所述第二发光元件。
在本发明的一实施例中,所述第一虚设电极可以包括朝向各个所述第二虚设电极凸出的第一虚设凸出部,各个所述第二虚设电极包括朝向所述第一虚设电极凸出的第二虚设凸出部。
在本发明的一实施例中,所述第一虚设凸出部可以具有与所述第一凸出部的平面形状对应的平面形状,所述第二虚设凸出部具有与所述第二凸出部的平面形状对应的平面形状。
在本发明的一实施例中,所述第一虚设凸出部的平面形状可以与所述第一凸出部的平面形状不同,所述第二虚设凸出部的平面形状与所述第二凸出部的平面形状不同。
在本发明的一实施例中,在所述第一虚设凸出部与所述第二虚设凸出部之间可以设置有所述第二发光元件。
在本发明的一实施例中,所述虚设区域可以包括沿所述第一方向彼此隔开的子虚设区域,在各个所述子虚设区域设置有所述第二发光元件。
在本发明的一实施例中,设置于所述子虚设区域中的至少一个的所述第一虚设凸出部及第二虚设凸出部的形状可以与设置于所述子虚设区域中的其余区域的所述第一虚设凸出部及第二虚设凸出部的形状不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的