[发明专利]一种用于电子级铜蚀刻液的制备装置及制备工艺

权利要求书

1.一种用于电子级铜蚀刻液的制备装置，其特征在于，包括：

用于储备原料磷酸的第一储槽；

用于储备原料双氧水的第二储槽；

用于储备原料超纯水的第三储槽；

用于储备原料表面活性剂的第四储槽；

混配槽；以及

精密过滤器；

所述第一储槽、所述第二储槽、所述第三储槽和所述第四储槽均同所述混配槽选择性地连通，所述混配槽的出口同所述精密过滤器的进口连通；

所述混配槽包括：槽体、槽盖、导轨、运动座和搅拌叶；

所述导轨安装于所述槽盖的内顶壁，所述运动座可滑动地配合于所述导轨；所述搅拌叶安装于所述运动座并延伸至所述槽体的槽腔；所述搅拌叶包括两根搅拌棒，所述搅拌棒包括依次相连的第一棒体、第二棒体、第三棒体和第四棒体；所述第一棒体呈直型，两根所述搅拌棒的所述第一棒体平行设置且通过外壁连接；所述第二棒体、所述第三棒体和所述第四棒体均呈弧型；两根所述搅拌棒的所述第二棒体所对应的圆弧的圆心位于二者的外侧，两根所述搅拌棒的所述第三棒体所对应的圆弧的圆心和所述第四棒体所对应的圆弧的圆心均位于二者的内侧；

其中，所述第二棒体的曲率＞所述第三棒体的曲率＞所述第四棒体的曲率；

所述搅拌叶还包括辅助叶；所述辅助叶填充于两根所述搅拌棒之间的区域，所述第一棒体的端部、所述第二棒体、所述第三棒体和所述第四棒体均同所述辅助叶的边缘连接；所述辅助叶开设有呈阵列分布的过液通孔；

两根所述搅拌棒的中心轴线所在平面垂直于所述导轨设置；

所述辅助叶朝其同一侧弯曲变形；沿所述第一棒体的轴向且由所述第四棒体之间的区域指向所述第一棒体的方向，所述辅助叶在垂直于两根所述搅拌棒的中心轴线所在平面的方向上的形变量递减；

每个所述过液通孔的中心轴线均垂直于其所对应位置的辅助叶的叶面设置，所述第三搅拌棒的棒体也开设有所述过液通孔。

2.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，所述混配槽还包括：辅助搅拌组件；所述辅助搅拌组件包括转轴、拨动棒和辅混叶；所述转轴可转动地安装于所述槽体的底壁，所述辅混叶和所述拨动棒均连接于所述转轴，所述拨动棒位于所述辅混叶的远离所述槽体的底壁的一侧；多根所述拨动棒沿所述转轴的周向均匀间隔设置，以使所述搅拌叶在运动过程中能够通过推动所述拨动棒带动所述辅混叶。

3.根据权利要求2所述的制备装置，其特征在于，所述辅混叶具有沿垂直于其叶面的方向变形的弯曲变形区；沿所述辅混叶的叶面且由所述转轴沿径向指向所述辅混叶的方向，所述弯曲变形区的形变量递增后递减。

4.根据权利要求3所述的制备装置，其特征在于，沿所述辅混叶的叶面且由所述转轴沿径向指向所述辅混叶的方向，所述弯曲变形区依次包括第一变形区、第二变形区、第三变形区和第四变形区；所述第一变形区属于形变量递增区域，所述第二变形区、所述第三变形区和所述第四变形区属于形变量递减区域；

其中，所述第一变形区的形变量变化速率大于所述第二变形区的形变量变化速率，所述第三变形区的形变量变化速率小于所述第二变形区的形变量变化速率，所述第四变形区的形变量变化速率大于所述第三变形区的形变量变化速率；所述第一变形区的靠近所述第二变形区的一端开设有辅助通孔，所述辅助通孔垂直于其所对应位置的变形区的表面设置。

5.一种利用如权利要求1～4任一项所述的制备装置制备电子级铜蚀刻液的制备工艺，其特征在于，包括：按预设比例于所述混配槽中混配原料磷酸、原料双氧水、原料超纯水和原料表面活性剂，经所述精密过滤器过滤后分装入库。