[发明专利]芯片制作及转移方法、显示背板及显示装置

说明书

本发明涉及一种芯片制作及转移方法、显示背板及显示装置。通过金属牺牲层和金属键合层，将第一基板上的芯片外延层键合第二基板上，然后去除第一基板，在芯片外延层上做好LED芯片，将做好的LED芯片与电路基板上设有电路的一面贴合，完成LED芯片与电路的键合；由于金属牺牲层和金属键合层中的稳定性比有机透明胶层好很多，在制作LED芯片时工艺窗口可以更大，使得LED芯片的制作不再受键合层对耐温限制，从而使得制作得到的LED芯片性能更好，良品率和可靠性更高。同时基板和金属键合层还可回收重复利用，可在较大程度上降低成本，提升资源利用率，更环保节能。

技术领域

本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种芯片制作及转移方法、显示背板及显示装置。

背景技术

目前红光Micro-LED(Micro-Light Emitting Diode，微型发光二极管)的制程，需要通过有机透明胶层和激光响应层将红光芯片外延层转移到透明基板上，然后制作好红光Micro-LED芯片后，再将红光Micro-LED芯片通过激光剥离转移到终端面板的显示背板上。该过程包括：在衬底上制作好红光芯片外延层，然后在红光芯片外延层上形成有机透明胶层，通过有机透明胶层将红光芯片外延层键合到透明基板上，然后去除衬底并在红光芯片外延层上做好红光Micro-LED芯片后，将红光Micro-LED芯片与显示背板上对应的电路完成键合，然后通过激光剥离方法将有机透明胶层和透明基板去除。由于采用的是有机透明胶层键合，有机透明胶层稳定性差，在制作Micro-LED芯片时工艺窗口受有机透明胶层耐温性的限制，导致良品率和可靠性低。同时有机透明胶层不能回收利用，导致成本高。

因此，如何解决采用有机透镜胶层键合而导致良品率和可靠性低，成本高，是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种芯片制作及转移方法、显示背板及显示装置，旨在解决相关技术中，采用有机透镜胶层键合而导致的良品率和可靠性低，成本高的问题。

一种芯片制作方法，包括：

在第一基板上设置LED芯片的芯片外延层，以及在所述芯片外延层上形成金属牺牲层，并在第二基板上形成金属键合层；

将所述第一基板形成有所述金属牺牲层的一面，与所述第二基板形成有所述金属键合层的一面贴合，以使所述金属牺牲层与所述金属键合层键合；

去除所述第一基板，在所述芯片外延层上制作好LED芯片。

上述芯片制作方法中，通过金属牺牲层和金属键合层，将第一基板上的芯片外延层键合第二基板上，然后去除第一基板，在芯片外延层上做好LED芯片。由于金属牺牲层和金属键合层中的稳定性比有机透明胶层好很多，在制作LED芯片时工艺窗口可以更大(金属牺牲层和金属键合层耐温600℃至700℃)，使得LED芯片的制作不再受键合层对耐温限制，从而使得制作得到的LED芯片性能更好，良品率和可靠性更高。同时基板和金属键合层还可回收重复利用，可在较大程度上降低成本，提升资源利用率，更环保节能。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种芯片转移方法，包括：

将通过如上所述的芯片制作方法制得的所述LED芯片，与电路基板上设有电路的一面贴合，并完成所述LED芯片与所述电路的键合；

去除所述金属牺牲层、所述金属键合层和所述第二基板。

可选地，本申请去除所述金属牺牲层、所述金属键合层和所述第二基板可包括：

将所述金属牺牲层蚀刻掉，从而使得所述金属键合层和所述第二基板与所述LED芯片分离。

也即在本申请中，对于金属牺牲层可以直接采用蚀刻的方式去除，进而使得金属键合层和第二基板与LED芯片分离，不再需要采用激光剥离，可大幅降低工艺成本，缩短工艺时长，提升制作效率，且采用蚀刻的方式去除金属牺牲层，可尽量避免其残留在LED芯片上，可进一步提升LED芯片的良品率。