[发明专利]一种微带薄膜电阻及其波导功率合成网络

权利要求书

1.一种微带薄膜电阻，其特征在于，包括陶瓷基板、设置在所述陶瓷基板上的TaN电阻和微带探针，所述TaN电阻紧贴所述陶瓷基板的边缘，所述TaN电阻连接所述微带探针，所述微带探针延伸至所述陶瓷基板的相对边缘。

2.根据权利要求1所述的微带薄膜电阻，其特征在于，所述微带薄膜电阻设置在微波毫米波固态器件的E-T节的中心位置。

3.根据权利要求1所述的微带薄膜电阻，其特征在于，所述陶瓷基板为高导热材质的微带基片。

4.一种波导功率合成网络，包括功率分配网络、功放模块和功率合成网络，所述功率分配网络将微波信号分为同幅同相的N路信号，每路信号经功放模块分别放大后馈入所述功率合成网络，其特征在于，所述功率分配网络与所述功率合成网络的连接处上均设置有权利要求1-3中任一所述的微带薄膜电阻。

5.根据权利要求4所述的波导功率合成网络，其特征在于，所述功率分配网络包括一级功率分配器和二级功率分配器，每个所述一级功率分配器的输出端连接一个所述二级功率分配器的输入端，所述微带薄膜电阻设置在所述二级功率分配器上。

6.根据权利要求5所述的波导功率合成网络，其特征在于，所述一级功率分配器的公共端口上设置有90°转角，所述一级功率分配器的输入端设置有石英探针，经过第一T型匹配过渡变换区域将信号分为相同的两路微波信号。

7.根据权利要求5所述的波导功率合成网络，其特征在于，所述二级功率分配器的输入端连接至所述一级功率分配器的T型匹配过渡变换区域输出端，经过E-T结构波导腔将信号分为等分的4路微带信号，每个所述E-T结构波导腔上均设置有所述微带薄膜电阻。

8.根据权利要求7所述的波导功率合成网络，其特征在于，所述二级功率分配器包括E-T结构波导腔、设置在E-T结构波导腔上的石英探针和微带薄膜电阻，所述微带薄膜电阻设置在所述E-T结构波导腔的中心位置，所述石英探针位于所述微带薄膜电阻的两侧。

9.根据权利要求8所述的波导功率合成网络，其特征在于，所述石英探针包括石英基板以及集成在所述石英基板上的腔内匹配探针线、高阻匹配线、50欧姆微带线，所述50欧姆微带线紧贴所述石英基板的边缘设置，所述50欧姆微带线依次连接所述高阻匹配线和所述腔内匹配探针线。

10.根据权利要求4所述的波导功率合成网络，其特征在于，所述功率合成网络包括二级功率合成器和一级功率合成器，每个所述二级功率合成器的输出端连接至所述一级功率合成器的输入端，所述二级功率合成器的E-T结构波导腔上设置所述微带薄膜电阻。