[发明专利]一种CIGS与钙钛矿叠层太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 202010863426.5 | 申请日: | 2020-08-25 |
公开(公告)号: | CN112436068A | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 徐晓华;李涛;连重炎;刘林;卢海江 | 申请(专利权)人: | 宣城开盛新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/032;H01L51/42 |
代理公司: | 合肥东信智谷知识产权代理事务所(普通合伙) 34143 | 代理人: | 李兵 |
地址: | 242000 安徽省宣城市经济技术*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cigs 钙钛矿叠层 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种CIGS与钙钛矿叠层太阳电池,其特征在于,其为层叠结构,由下至上依次为不锈钢卷(1)、CIGS层(2)、缓冲层(3)、ZnO层(4)、ITO层(5)、TiO2层(6)、钙钛矿层(7)、空穴传输层(8)和电极(9)。
2.根据权利要求1所述的一种CIGS与钙钛矿叠层太阳电池,其特征在于,其层叠结构由下至上依次为不锈钢卷、CIGS层、CdS缓冲层、ZnO层、ITO层、TiO2层、CH3NH3PbI3钙钛矿层、空穴传输层和Cu电极。
3.根据权利要求1-2任意一项所述的一种CIGS与钙钛矿叠层太阳电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)在不锈钢衬底上依次采用磁控溅射的方法制备CIGS薄膜、CdS薄膜和ZnO薄膜;
(2)在ZnO薄膜上依次采用旋涂法制备ITO膜层、TiO2膜层、CH3NH3PbI3膜层和Spiro-MeOTAD膜层;
(3)采用加热层压的方式在Spiro-MeOTAD膜层上制备Cu电极。
4.根据权利要求3所述的一种CIGS与钙钛矿叠层太阳电池的制备方法,其特征在于,CIGS薄膜的制备方法为:采用磁控溅射让Ar+离子撞击Cu In Ga靶,使得Cu、In、Ga这三种原子从靶材中溅射出来而沉积到不锈钢衬底表面;同时在对靶材撞击溅射的工作过程中,引入Se蒸气进行硒化处理,这样Se蒸气就可和溅射出来的Cu、In、Ga三种原子发生反应,从而形成CIGS薄膜。
5.根据权利要求3所述的一种CIGS与钙钛矿叠层太阳电池的制备方法,其特征在于,CdS薄膜的制备方法为:采用磁控溅射的方法让Ar+离子撞击CdS靶材,使得CdS从靶材中溅射出来而沉积到CIGS薄膜的表面。
6.根据权利要求3所述的一种CIGS与钙钛矿叠层太阳电池的制备方法,其特征在于,ZnO薄膜的制备方法为:采用磁控溅射的方法让Ar+离子撞击ZnO靶材,使得ZnO从靶材中溅射出来而沉积到CdS薄膜的表面。
7.根据权利要求3所述的一种CIGS与钙钛矿叠层太阳电池的制备方法,其特征在于,CH3NH3PbI3膜层的制备方法为:配置CH3NH3I和PbI2前驱体溶液,再以一定的旋转速度将它们依次旋涂在TiO2膜层表面,并进行热处理成膜,保证膜层的平整均匀性。
8.根据权利要求3所述的一种CIGS与钙钛矿叠层太阳电池的制备方法,其特征在于,Spiro-MeOTAD膜层的制备方法为:将空穴传输材料Spiro-MeOTAD和四叔丁基-吡啶,双(三氟甲基磺酰)锂Li-TFSI等添加剂溶解于氯苯溶剂中,再将其旋涂于CH3NH3PbI3膜层表面。
9.根据权利要求3所述的一种CIGS与钙钛矿叠层太阳电池的制备方法,其特征在于,Cu电极的制备方法为:采用加热层压的方式将镀Ni的Cu电极先和一种高分子薄膜材料粘接,再整体与电池层压在一起。
10.根据权利要求9所述的一种CIGS与钙钛矿叠层太阳电池的制备方法,其特征在于,所述高分子薄膜材料为粘合树脂—PET—粘合树脂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宣城开盛新能源科技有限公司,未经宣城开盛新能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010863426.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的