[发明专利]半导体吸座在审
申请号: | 202010863601.0 | 申请日: | 2020-08-25 |
公开(公告)号: | CN112447572A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 林辅仁;陈建翔;杨志深;刘旭水;黄正义 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 | ||
提供一种半导体吸座。半导体吸座包括一金属基部以及在金属基部上方的一第一接着层。半导体吸座包括在第一接着层上方的一介电层,其中介电层是通过第一接着层而接着至金属基部。半导体吸座包括在介电层上方的一可移除保护板,其中可移除保护板的一第一部分覆盖介电层的一顶表面。
技术领域
本公开实施例涉及一种吸座,特别涉及一种用于半导体晶圆的吸座。
背景技术
半导体配置是用在许多电子装置中,例如:移动电话、笔记本电脑、台式电脑、平板电脑、手表、游戏系统、以及多种其他工业、商业及消费性电子产品。半导体配置通常形成在接受多种半导体加工制程的半导体晶圆上或由上述半导体晶圆形成。在至少一些半导体加工制程期间,半导体晶圆通常被支撑在吸座上。
发明内容
本公开实施例提供一种半导体吸座,包括一金属基部、一第一接着层、一介电层以及一可移除保护板。第一接着层在金属基部上方。介电层在第一接着层上方,其中介电层是通过第一接着层而接着至金属基部。可移除保护板在介电层上方,其中可移除保护板的一第一部分覆盖介电层的一顶表面。
本公开实施例更提供一种半导体吸座,包括一金属基部、一第一接着层、一介电层以及一可移除保护板。第一接着层在金属基部上方。介电层在第一接着层上方,其中介电层是通过第一接着层而接着至金属基部。可移除保护板的一第一部分覆盖第一接着层的一侧壁、介电层的一侧壁、或金属基部的一侧壁的至少一者。
本公开实施例又提供一种形成一半导体吸座的方法,包括:将一第一可移除保护板放置在一堆叠上方,上述堆叠包括一金属基部、一第一接着层以及一介电层。第一接着层在金属基部上方。介电层在第一接着层上方。第一可移除保护板的放置包括:用第一可移除保护板的一第一部分覆盖介电层的一顶表面;以及用第一可移除保护板的一第二部分覆盖第一接着层的一侧壁。
附图说明
根据以下的详细说明并配合附图可最佳地理解本公开的型态。应被强调的是,根据本产业的一般作业,多种特征并未按照比例绘制。事实上,可能任意的放大或缩小元件的尺寸,以做清楚的说明。
图1至图2根据一些实施例示出半导体吸座在多种加工阶段的剖面图;
图3至图4根据一些实施例示出半导体吸座在加工期间的剖面图;
图5根据一些实施例示出半导体吸座的剖面图;
图6根据一些实施例示出半导体吸座的剖面图;
图7至图9根据一些实施例示出半导体吸座在多种加工阶段的剖面图。
其中,附图标记说明如下:
100:半导体吸座
102:金属基部
104:第一接着层
106:介电层
107:通道
108:传导层
110:可移除保护板
110a,210a:前侧
110b,210b:背侧
110c,210c:脊部
210:第二可移除保护板
702:第二接着层
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造