[发明专利]一种以聚合氯化铝生产中废弃残渣制备纳米级二氧化硅

权利要求书

1.一种以聚合氯化铝生产中废弃残渣制备纳米级二氧化硅，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将聚合氯化铝生产中产生的废弃残渣放入反应釜中，之后加入盐酸，在反应釜中80～100℃下进行搅拌，搅拌反应1～2小时，然后用板框压滤机进行固液分离，滤饼用清水洗至pH值为中性，滤液返回聚合氯化铝生产中，滤饼备用；

S2：将S1步骤中得到的滤饼放入带有回流装置的反应釜中，之后将1-3份滤饼质量的水，放入带有回流装置的反应釜中，在80～110℃下进行搅拌，然后滴加氟化铵溶液，直至滤饼完全溶解，反应产生的气体采用气体吸收装置进行吸收，反应结束后加入一定量的脱色活性炭，搅拌10-20分钟，之后用板框压滤机过滤，得到滤液为清澈透明的溶液；

S3：将S2步骤中气体吸收装置吸收的液体，慢慢滴加入反应釜中，直至溶液pH值达到7～8，然后冷却至20～30℃后，之后用板框压滤机进行固液分离，将所得的滤饼用水洗涤至中性，此时得到湿纳米级二氧化硅和氟化铵溶液；

S4：将S3步骤中得到的湿纳米级二氧化硅放置入干燥装置中，通过干燥装置对湿纳米级二氧化硅进行烘干处理，当湿纳米级二氧化硅干燥结束后，经过称重包装后，得到纳米级二氧化硅成品。

2.根据权利要求1所述的一种以聚合氯化铝生产中废弃残渣制备纳米级二氧化硅，其特征在于，步骤S1中，聚合氯化铝废渣中的铝含量低于0.1％，反应温度为100～110℃，搅拌时间为1.3小时。

3.根据权利要求1所述的一种以聚合氯化铝生产中废弃残渣制备纳米级二氧化硅，其特征在于，步骤S2中，滤饼与水的质量比为1:2，反应温度为100℃。

4.根据权利要求1所述的一种以聚合氯化铝生产中废弃残渣制备纳米级二氧化硅，其特征在于，步骤S2中，脱色活性炭的搅拌时间为15分钟。

5.根据权利要求1所述的一种以聚合氯化铝生产中废弃残渣制备纳米级二氧化硅，其特征在于，步骤S2中，氟化铵为工业级，氟化铵溶液为氟化铵饱和溶液。

6.根据权利要求1所述的一种以聚合氯化铝生产中废弃残渣制备纳米级二氧化硅，其特征在于，步骤S2中，反应釜中反应所产生的气体由带有喷淋装置的气体吸收塔组组成。

7.根据权利要求1所述的一种以聚合氯化铝生产中废弃残渣制备纳米级二氧化硅，其特征在于，步骤S3中，经过固液分离后所得的氟化铵溶液为氟化铵再生液。

8.根据权利要求1所述的一种以聚合氯化铝生产中废弃残渣制备纳米级二氧化硅，其特征在于，步骤S3中，与洗涤水合并的氟化铵溶液为饱和溶液。

9.根据权利要求1所述的一种以聚合氯化铝生产中废弃残渣制备纳米级二氧化硅，其特征在于，步骤S3中，溶液pH值为7.5～7.8，溶液冷却温度为25～30℃。

10.根据权利要求1所述的一种以聚合氯化铝生产中废弃残渣制备纳米级二氧化硅，其特征在于，步骤S4中，干燥装置为气流干燥装置。