[发明专利]应用于GS/s流水线ADC推挽输出级驱动的MDAC有效

专利信息
申请号: 202010864749.6 申请日: 2020-08-25
公开(公告)号: CN112152627B 公开(公告)日: 2023-02-24
发明(设计)人: 刘马良;张晨曦;张乘皓;朱樟明;杨银堂 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H03M1/14 分类号: H03M1/14
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 刘长春
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 应用于 gs 流水线 adc 输出 驱动 mdac
【权利要求书】:

1.一种应用于GS/s流水线ADC推挽输出级驱动的MDAC,包括量化模块、残差放大模块以及负载电容(CL),所述量化模块用于量化和运算产生量化结果和未经放大的残差信号,所述残差放大模块用于放大所述残差信号,并驱动所述负载电容(CL),其特征在于,所述残差放大模块包括:反向放大器以及推挽输出级电路,所述量化模块的输出端与所述反向放大器的输入端相连,所述推挽输出级电路的输入端与所述反向放大器的输出端相连,所述推挽输出级电路包括:第一电容(C1)、第二电容(C2)第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一MOS管(Ma)以及第二MOS管(Mb),所述反向放大器的第一输出端分别与所述第一电容(C1)的一端以及所述第二电容(C2)的一端相连,所述第一电容(C1)的另一端分别与所述第一电阻(R1)的一端以及所述第一MOS管(Ma)的栅极相连,所述第一电阻(R1)的另一端接入第一偏置电压(VB1),所述第二电容(C2)的另一端分别与所述第二电阻(R2)的一端以及所述第二MOS管(Mb)的栅极相连,所述第二电阻(R2)的另一端接入第二偏置电压(VB2),所述第一MOS管(Ma)的源极分别与所述第二MOS管(Mb)的源极以及流水线ADC的第二级的负载电容(CL)的一端相连,所述第一MOS管(Ma)的漏极与电源正极(VDD)相连,所述第二MOS管(Mb)的漏极与数字地(GND)相连,所述负载电容(CL)的另一端与数字地(GND)相连。

2.根据权利要求1所述的一种应用于GS/s流水线ADC推挽输出级驱动的MDAC,其特征在于,所述反向放大器由两级互补共源极正反馈运算放大器、第三电容(CS)以及第四电容(CF)构成,所述两级互补共源极正反馈运算放大器中的第一级互补共源极正反馈运算放大器的正输入端分别与所述第三电容(CS)的一端以及第四电容(CF)的一端相连,所述第三电容(CS)的另一端与所述量化模块的输出相连,所述第一级互补共源极正反馈运算放大器的输出端与第二级互补共源极正反馈运算放大器的输入端相连,所述第四电容(CF)的另一端分别与第二级互补共源极正反馈运算放大器的输出端、所述第一电容(C1)的一端以及所述第二电容(C2)的一端相连。

3.根据权利要求2所述的一种应用于GS/s流水线ADC推挽输出级驱动的MDAC,其特征在于,两个互补共源极正反馈运算放大器中任一互补共源极正反馈运算放大器包括:第三MOS管(M0)、第四MOS管(M1)、第五MOS管(M2)、第六MOS管(M3)、第七MOS管(M4)、第八MOS管(M5)、第九MOS管(M6)以及共模反馈电路,所述共模反馈电路的输出端与所述第三MOS管(M0)的栅极相连,所述第三MOS管(M0)的源极与电源正极(VDD)相连,所述第三MOS管(M0)的漏极分别于所述第四MOS管(M1)的源极以及所述第五MOS管(M2)的源极相连,所述第四MOS管(M1)的漏极分别与所述第六MOS管(M3)的漏极、所述第九MOS管(M6)的漏极以及所述第八MOS管(M5)的栅极相连,所述第四MOS管(M1)的栅极分别与输出端VOUTIN以及所述第六MOS管(M3)的栅极相连,所述第五MOS管(M2)的漏极分别与所述第八MOS管(M5)的漏极以及所述第七MOS管(M4)的漏极相连,所述第五MOS管(M2)的栅极分别与输出端VOUTIP以及所述第七MOS管(M4)的栅极相连,所述第七MOS管(M4)的源极分别与所述第六MOS管(M3)的源极、所述第八MOS管(M5)的源极、所述第九MOS管(M6)的源极以及数字地(GND)相连,第一级互补共源极正反馈运算放大器的输出是第二级互补共源极正反馈运算放大器的输入。

4.根据权利要求1所述的一种应用于GS/s流水线ADC推挽输出级驱动的MDAC,其特征在于,所述第一MOS管(Ma)是N沟道MOS管,所述第二MOS管(Mb)是P沟道MOS管。

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