[发明专利]动态气体隔离装置在审

专利信息
申请号: 202010865508.3 申请日: 2020-08-25
公开(公告)号: CN111965950A 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 王魁波;吴晓斌;谢婉露;罗艳;沙鹏飞;韩晓泉;李慧 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 何家鹏
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 动态 气体 隔离 装置
【说明书】:

本申请具体涉及一种动态气体隔离装置,该动态气体隔离装置包括主管道、供气装置和气体预处理装置,其中,主管道包括宽口端和窄口端,宽口端用于与第一腔室连通,窄口端用于与第二腔室连通,第一腔室的清洁度高于第二腔室的清洁度,主管道的侧壁上设置有进气口;供气装置包括高纯气源和气体管道,气体管道的两端分别与进气口和高纯气源连通;气体预处理装置包括气流匀化器和温度调节器,气流匀化器和温度调节器设置在气体管道内。本申请提出的动态气体隔离装置可以抑制第二腔室的污染物朝第一腔室扩散,实现了对两种不同要求的真空环境的隔离,并通过气流匀化器和温度调节器保证了气流的均匀性和温度稳定。

技术领域

本申请属于光刻技术领域,具体涉及一种动态气体隔离装置。

背景技术

本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息,其并不必然是现有技术。

极紫外(Extreme Ultra-violet,简称EUV)光刻采用13.5nm波长的极紫外光进行光刻,由于空气及几乎所有的折射光学材料对13.5nm波长的极紫外辐照具有强烈的吸收作用,因此,极紫外光刻机内部需要设置为真空环境,EUV照明光学系统、成像光学系统、掩模台与工件台等部件或系统均需要设置在相应的真空腔内。

由于极紫外光束的传输需要,各个真空腔室之间是连通的,由于各个部件或系统对真空环境清洁度要求不同,例如,成像光学系统、照明光学系统对清洁度要求最高,所在的腔室设置为超清洁真空环境;掩模台对清洁度要求次之,所在腔室设置为清洁真空环境;工件台对清洁度要求不高,所在腔室设置为普通真空腔室;因此必须在高清洁度的真空环境和低清洁度的真空环境之间建立隔离装置,从而将两种不同要求的真空环境进行隔离。

相关技术中的隔离装置通常设置多个小喷口向装置内喷射气流,利用气流抑制污染物扩散,但这样的方式会在隔离装置内部形成不均匀气压,而EUV光束在通过隔离装置时,被隔离装置内气体吸收的吸收率与气压成指数关系,因此不均匀的气压会导致EUV光束的不均匀性,进而影响曝光质量。

发明内容

本申请提出了一种动态气体隔离装置,包括:

主管道,所述主管道包括宽口端和窄口端,所述宽口端用于与第一腔室连通,所述窄口端用于与第二腔室连通,所述第一腔室的清洁度高于所述第二腔室的清洁度,所述主管道的侧壁上设置有进气口;

供气装置,所述供气装置包括高纯气源和气体管道,所述气体管道的两端分别与所述进气口和所述高纯气源连通;

气体预处理装置,所述气体预处理装置包括气流匀化器和温度调节器,所述气流匀化器和所述温度调节器设置在所述气体管道内。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中,用相同的附图标记表示相同的部件。在附图中:

图1为本申请实施例的动态气体隔离装置的结构示意图;

图2为图1所示A处的放大示意图;

图3为本申请一种实施例中供气装置和气体预处理装置的部分结构示意图。

附图中各标记表示如下:

100、动态气体隔离装置;

10、主管道;11、宽口端;12、窄口端;13、进气口;14、锯齿状结构;

21、第一腔室;22、第二腔室;221、污染源;

31、高纯气源;32、气体管道;

40、气体预处理装置;41、气流匀化器;42、温度调节器;

51、第一路径;52、第二路径。

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