[发明专利]一种抑制Fe基纳米晶软磁合金非晶前驱体表面晶化的方法在审
申请号: | 202010865562.8 | 申请日: | 2020-08-25 |
公开(公告)号: | CN112002513A | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 张伟;吴立成;李艳辉 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | H01F1/153 | 分类号: | H01F1/153 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 王思宇;李洪福 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抑制 fe 纳米 晶软磁 合金 前驱 体表 面晶化 方法 | ||
1.一种抑制Fe基纳米晶软磁合金非晶前驱体表面晶化的方法,其特征在于,在Fe基纳米晶软磁合金中添加0.1~0.3at.%的稀土元素;所述稀土元素包括La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc和Y中的任意一种或多种组合。
2.根据权利要求1所述的抑制Fe基纳米晶软磁合金非晶前驱体表面晶化的方法,其特征在于,所述Fe基纳米晶软磁合金的合金成分化学式为FeaSibBcCudNbe,a、b、c、d和e分别为各对应元素的原子百分比含量,其中:73≤a≤80,9≤b≤16,6≤c≤10,0.5≤d≤1.5,0e≤3.5,且a+b+c+d+e=100。
3.根据权利要求1所述的抑制Fe基纳米晶软磁合金非晶前驱体表面晶化的方法,其特征在于,所述Fe基纳米晶软磁合金的合金成分化学式为FefBgMh,其中,M为Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W中的任意一种,f、g和h分别为各对应元素的原子百分比含量,其中79≤f≤91,2≤g≤13,1≤h≤8,且f+g+h=100。
4.根据权利要求1所述的抑制Fe基纳米晶软磁合金非晶前驱体表面晶化的方法,其特征在于,稀土元素的添加量为0.1~0.2at.%。
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