[发明专利]一种应用于高速高精度模数转换器中的参考电压缓冲器在审
申请号: | 202010865758.7 | 申请日: | 2020-08-25 |
公开(公告)号: | CN112104372A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 叶凡;何文彬;任俊彦;许俊;李宁 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H03M1/38 | 分类号: | H03M1/38;H03M1/12 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 高速 高精度 转换器 中的 参考 电压 缓冲器 | ||
1.一种应用于高速高精度模数转换器中的参考电压缓冲器,其特征在于,包括:运算放大器(41)与源级跟随器支路(42)组成的低速反馈环路,NMOS源级跟随器支路(401)与PMOS源级跟随器辅助支路(402)组成的开环支路,开关电容式电平移位器(405),RC低通滤波器(406);并采用交叉耦合电容(403)和衬底调制电路(404),以提高参考电压的快速响应;其中:
NMOS源级跟随器支路(401),包括NMOS源级跟随器Mn1和Mn2,NMOS尾电流源Mn3,其中Mn3的漏端与Mn2的源端相连,Mn2的漏端与Mn1的源端相连;
PMOS源级跟随器辅助支路(402),包括PMOS源级跟随器Mp2和Mp3,PMOS尾电流源Mp1,其中,Mp1的漏端与Mp2的源端相连,Mp2的漏端与Mp3的源端相连;
运算放大器(41)的输出端和负输入端分别接到源级跟随器支路(42)源级跟随器的栅端和源端,构成低速反馈环路;NMOS源级跟随器支路(401)的源级跟随器Mn1和Mn2的栅端与源级跟随器支路(42)中源级跟随器的栅端通过低通滤波器(406)相连接,PMOS源级跟随器辅助支路(402)中的源级跟随器Mp2和Mp3的栅端分别与NMOS源级跟随器支路(401)的源级跟随器Mn1和Mn2的栅端通过开关电容式电平移位器(405)相连;输出参考电压Vrefp由源级跟随器Mn1和Mp2的源端提供,Vrefn由源级跟随器Mn2和Mp3的源端提供。
2.根据权利要求1所述的参考电压缓冲器,其特征在于,所述交叉耦合电容包括电容Cc1和Cc2;其中电容Cc1连接负端参考电压Vrefn到NMOS源级跟随器Mn1和PMOS源级跟随器Mp2的栅端,电容Cc2连接正端参考电压Vrefp到NMOS源级跟随器Mn2和PMOS源级跟随器Mp3的栅端。
3.根据权利要求2所述的参考电压缓冲器,其特征在于,所述衬底调制电路包括:NMOS源级跟随器Mn2,NMOS电流源Mn3,PMOS电流源Mp1和PMOS源级跟随器Mp2;这些晶体管的衬底都是通过电阻连接到其源端,通过电容连接到其漏端;其中,NMOS源级跟随器Mn2和NMOS尾电流源Mn3采用深N阱工艺加工。
4.根据权利要求3所述的参考电压缓冲器,其特征在于,所述开关电容式电平移位器包括:两个PMOS开关,两个NMOS开关,两个开关电容Cl1和Cl2;NMOS源级跟随器的栅端连接到NMOS源级跟随器Mn1和Mn2的栅端,PMOS源级跟随器的栅端连接到PMOS源级跟随器Mp2和Mp3的栅端,为PMOS源级跟随器Mp2和Mp3提供栅极电压。
5.根据权利要求4所述的参考电压缓冲器,其特征在于,所述低通滤波器由两个电阻RF和一个电容CF组成,其中,电容CF跨接在两个电阻RF之间,位于低速反馈环路和开环支路的连接处,隔离运算放大器的输出负载,并避免参考电压变化导致的回踢噪声。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学,未经复旦大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010865758.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。