[发明专利]有机发光显示面板、制备方法和显示装置在审
申请号: | 202010866345.0 | 申请日: | 2020-08-25 |
公开(公告)号: | CN111785768A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 曾诚;李英宰;李东健;崔雪梅;李瑞涛;李世其;孙震;马璐蔺 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 戴冬瑾 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括:
基板,以及位于所述基板上的多个有机发光二极管,
封装结构,所述封装结构将所述有机发光二极管封装于所述基板上,所述封装结构包括:
第一封装层,所述第一封装层位于所述有机发光二极管远离所述基板的一侧;
第二封装层,所述第二封装层位于所述第一封装层远离所述有机发光二极管的一侧且是由聚合物材料形成的;
保护层,所述保护层位于所述第二封装层远离所述第一封装层的一侧;
第三封装层,所述第三封装层位于所述保护层远离所述第二封装层的一侧,
所述保护层的孔隙率大于所述第三封装层的孔隙率。
2.根据权利要求1所述的面板,其特征在于,所述保护层的化学组成与所述第三封装层的化学组成相同。
3.根据权利要求1所述的面板,其特征在于,所述保护层的厚度与所述第三封装层的厚度之和范围为0.65~0.7微米,且所述保护层的厚度范围为0.05~0.1微米。
4.根据权利要求1所述的面板,其特征在于,所述第一封装层的组成材料包括氮氧化硅。
5.根据权利要求1所述的面板,其特征在于,所述第一封装层远离所述有机发光二极管的一侧进一步包括第一保护层。
6.根据权利要求5所述的面板,其特征在于,所述第一保护层的组成材料包括氮化硅。
7.根据权利要求5所述的面板,其特征在于,所述第一保护层的厚度与所述第一封装层的厚度之和的范围为1.0~1.1微米,且所述第一保护层的厚度范围为0.05~0.15微米。
8.一种制备有机发光显示面板的方法,其特征在于:
在有机发光二极管远离基板的一侧形成第一封装层;
在所述第一封装层远离所述有机发光二极管的一侧形成第二封装层,所述第二封装层是由聚合物材料形成的;
在所述第二封装层远离所述第一封装层的一侧形成保护层;
在所述保护层远离所述第二封装层的一侧形成第三封装层,
其中,所述保护层和所述第三封装层分别独立地是由沉积工艺形成的,且形成所述保护层的沉积功率小于形成所述第三封装层的沉积功率。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述沉积工艺为等离子体增强化学沉积工艺,所述沉积功率为等离子体功率,形成所述保护层时的沉积功率与形成所述第三封装层时的沉积功率的比值范围为0.8~0.85。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,形成所述保护层的材料和形成所述第三封装层的材料的化学组成相同,且所述保护层的孔隙率大于所述第三封装层的孔隙率。
11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的