[发明专利]超级结器件的制造方法

权利要求书

1.一种超级结器件的制造方法，其特征在于，采用全平工艺实现，包括如下步骤：

步骤一、采用第零层光罩进行光刻并形成第零层对准标记；

步骤二、进行超级结的形成工艺，包括：

提供具有第一导电类型的第一外延层，进行光刻工艺定义出超级结沟槽的形成区域；

对所述第一外延层进行刻蚀形成超级结沟槽；

在所述超级结沟槽中填充第二导电类型的第二外延层，由填充于所述超级结沟槽中的第二外延层组成第二导电类型柱，由所述第二导电类型柱之间的所述第一外延层组成第一导电类型柱，所述第一导电类型柱和所述第二导电类型柱交替排列形成所述超级结；

进行第一次平坦化使形成有所述超级结的所述第一外延层的表面为平坦表面；

步骤三、形成所述栅极结构，所述栅极结构为沟槽栅，所述沟槽栅的形成工艺包括：

在形成有所述超级结且表面平坦的所述第一外延层上进行光刻工艺定义出栅极沟槽的形成区域；

对所述第一外延层进行刻蚀形成所述栅极沟槽，在所述栅极结构的引出位置处的所述栅极沟槽的宽度满足形成接触孔的要求；

在所述栅极沟槽的侧面形成栅氧化层，在所述栅极沟槽的底部表面形成底部氧化层；

在所述栅极沟槽中填充所述多晶硅栅，由形成于所述栅极沟槽中的所述栅氧化层、所述底部氧化层和所述多晶硅栅组成所述沟槽栅；

进行第二次平坦化使形成有所述沟槽栅的所述第一外延层的表面为平坦表面；

步骤四、采用离子注入和退火推进工艺形成体区，所述体区的形成区域通过光刻定义；

步骤五、形成场氧，所述场氧覆盖在形成有所述超级结和所述沟槽栅且表面平坦的所述第一外延层上，所述场氧具有无爬坡的平坦结构。

2.如权利要求1所述的超级结器件的制造方法，其特征在于：在步骤四形成所述体区之后以及步骤五形成所述场氧之前还包括如下形成第一导电类型重掺杂的源区的步骤：

采用离子注入和退火推进工艺形成源区，所述源区的形成区域通过光刻定义，在所述器件单元区中，所述源区和对应的所述栅极结构的侧面自对准。

3.如权利要求1所述的超级结器件的制造方法，其特征在于：在步骤五完成后，还包括步骤：

形成层间膜、接触孔，所述接触孔的形成区域通过光刻定义，所述栅极结构的引出位置处形成有对应的所述接触孔；

之后形成正面金属层，采用光刻定义加刻蚀工艺对所述正面金属层进行图形化，图形化后的所述正面金属层所形成的电极包括栅电极结构，所述栅电极结构通过所述栅极结构的引出位置处的所述接触孔和所述多晶硅栅接触；

形成接触衬垫，所述接触衬垫的形成区域通过光刻定义；

完成所述超级结器件的背面工艺。

4.如权利要求3所述的超级结器件的制造方法，其特征在于：所述接触孔采用钨插销实现。

5.如权利要求3所述的超级结器件的制造方法，其特征在于：所述场氧由热氧化层组成或者由热氧化层叠加TEOS氧化工艺形成的氧化层组成。

6.如权利要求5所述的超级结器件的制造方法，其特征在于：所述层间膜覆盖在平坦的所述场氧表面上；

所述层间膜采用USG氧化工艺或TEOS氧化工艺形成。