[发明专利]一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测系统及其制备方法

权利要求书

1.一种基于二硒化钯/超薄硅/二硒化钯肖特基结的颜色探测系统，其特征在于：包括玻璃衬底(1)，在所述玻璃衬底(1)的上、下表面对称设置有两颜色探测单元；

所述颜色探测单元包括固定在玻璃衬底表面的厚度为15-25μm的n-型超薄硅片(2)，在所述n-型超薄硅片(2)上铺设有一对二硒化钯薄膜(3)；两二硒化钯薄膜(3)的一侧分别超出所述n-型超薄硅片(2)的区域、位于玻璃衬底(1)上，且在其超出区域设有二硒化钯接触电极(4)；在所述颜色探测单元中，由两二硒化钯薄膜与n-型超薄硅片构成金属半导体金属肖特基结；

当光从上颜色探测单元的上方，向下逐层照射所述颜色探测系统时，上颜色探测单元与下颜色探测单元的电流比，随被探测光波长的增大而减小，从而可根据电流比识别被探测光的波长。

2.根据权利要求1所述的颜色探测系统，其特征在于：所述玻璃衬底(1)的厚度为0.8-1mm。

3.根据权利要求1所述的颜色探测系统，其特征在于：所述n-型超薄硅片(2)采用电阻率为1-7Ω·cm的n-型轻掺杂硅片。

4.根据权利要求1所述的颜色探测系统，其特征在于：所述二硒化钯薄膜(3)的厚度为15nm-40nm。

5.根据权利要求1所述的颜色探测系统，其特征在于：所述二硒化钯接触电极(4)为导电银浆电极。

6.一种权利要求1～5中任意一项所述颜色探测系统的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、将n-型超薄硅片放在质量浓度为5％-10％的氢氟酸溶液或BOE刻蚀液中刻蚀5-10分钟，去除表面的自然氧化层，取出后进行清洗并干燥；

步骤2、将经步骤1处理后的n-型超薄硅片固定到清洗干净的玻璃衬底的上表面；

步骤3、将一对二硒化钯薄膜铺设到n-型超薄硅片上；两二硒化钯薄膜的一侧分别超出所述n-型超薄硅片的区域、位于玻璃衬底上；

步骤4、在两二硒化钯薄膜超出n-型超薄硅片的区域上分别滴银浆电极，即在玻璃衬底的上表面形成颜色探测单元；

步骤5、按照步骤1～4相同的方法，在玻璃衬底的下表面形成相同的颜色探测单元，两颜色探测单元相对于玻璃衬底完全对称，即获得颜色探测系统。