[发明专利]一种加强低温相偏硼酸钡熔体对流的方法

说明书

本发明一种加强低温相偏硼酸钡熔体对流的方法，采用硼酸、碳酸钡为原料，氟化钠为助熔剂，熔盐炉为生长装置，将晶体生长坩埚置于坩埚套里面，坩埚套四周单独绕制炉丝，单独控温，有效加强熔体对流。

技术领域

本发明涉及晶体生长领域，特别涉及一种加强低温相偏硼酸钡熔体对流。

背景技术

低温相偏硼酸钡β-BaB2O4是一种非常重要的新型非线性晶体，广泛运用于激光倍频，目前还未见有性能更好的材料取代它。

虽然该晶体具有优异的性能，但是实际晶体生长过程由于生长工艺特点，熔体对流不明显，晶体中存在一些质量问题：主要有中间包络、气泡、生长纹等。加强熔体对流是降低缺陷的最有效方法。

发明内容

本发明的目的是加强低温相偏硼酸钡熔体对流，采用硼酸、碳酸钡为原料，氟化钠为助熔剂，熔盐炉为生长装置，将晶体生长坩埚置于坩埚套里面，坩埚套四周单独绕制炉丝，单独控温，具体见图1，该发明有效加强熔体对流，降低晶体缺陷形成。

附图说明

图1坩埚套示意图。

具体实施方式

实施例一：称取一定量的碳酸钡、硼酸和氟化钠，满足BaB2O4:NaF=2:1（摩尔比）于原料桶中混匀。将混好的料于1000℃的硅碳棒炉中熔解至反应完全。将熔好的料倒入铂金坩锅，将坩埚置于坩埚套中，升温至980℃，恒温18h，而后在饱和温度以上10℃下。将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢的下至熔液表面，20r/min转动，半小时之后降7℃，晶体开始生长，直至晶体快至坩埚壁停止籽晶杆旋转，以1℃/天降温，降温180天，晶体生长结束，采用转炉，取出晶体，退火至室温。