[发明专利]基于NiFe2O4/Ga2O3的紫外光电二极管及其制备方法

说明书

本发明公开了一种基于NiFe₂O₄/Ga₂O₃的紫外光电二极管，本发明还公开了一种基于NiFe₂O₄/Ga₂O₃的紫外光电二极管的制备方法，首先对衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用；在清洗后的衬底上进行P型NiFe₂O₄层生长；在得到的P型NiFe₂O₄层上的部分区域进行N型β‑Ga₂O₃层生长；在得到的P型NiFe₂O₄层上制作P型NiFe₂O₄层上的电极；在得到的N型β‑Ga₂O₃层上制作N型β‑Ga₂O₃层上的电极，最终形成所述基于NiFe₂O₄/Ga₂O₃的紫外光电二极管。本发明解决了现有技术中由于p型Ga₂O₃材料的缺乏而无法制备Ga₂O₃基pn结紫外光电二极管的问题。

技术领域

本发明属于紫外光电探测应用技术领域，具体涉及一种基于 NiFe₂O₄/Ga₂O₃的紫外光电二极管，本发明还涉及基于NiFe₂O₄/Ga₂O₃的紫外光电二极管的制备方法。

背景技术

氧化镓(β-Ga₂O₃)作为一种新型的直接带隙宽禁带半导体材料，其禁带宽度为4.9eV，对应的吸收波长为253nm，在深紫外光区具有高光电响应特性，在深紫外日盲光电探测器领域具有巨大的应用潜力。同时，氧化镓的高禁带宽度高的击穿电场强度(临界击穿电场强度理论值可达8MV/cm),使得氧化镓深紫外日盲光电探测器更适合于高频、高温、高压和高辐射环境下的应用。

目前，Ga₂O₃紫外光电探测器主要基于肖特基(MSM)结构。与基于 MSM结构光电探测器相比，基于pn结结构的光电探测器具有更大的光电响应度和更快的相应速度。然而，由于氧空位的存在，目前p型Ga₂O₃材料的制备没有取得有效的进展。p型Ga₂O₃材料的缺乏使得Ga₂O₃基pn结结构紫外光电二极管难以实现，从而制约了Ga₂O₃材料在紫外光电探测领域中的应用。

发明内容

本发明的目的是提供一种基于NiFe₂O₄/Ga₂O₃的紫外光电二极管，解决了现有技术中由于p型Ga₂O₃材料的缺乏而无法制备Ga₂O₃基pn结紫外光电二极管的问题。

本发明的另一目的是提供一种基于NiFe₂O₄/Ga₂O₃的紫外光电二极管的制备方法。