[发明专利]一种以钼多酸为阴离子模板构筑的二十八核炔银簇材料及其制备方法

说明书

本发明公开了一种以钼多酸为阴离子模板构筑的二十八核炔银簇材料及其制备方法，属于无机纳米材料合成的技术领域，该二十八核炔银簇材料的化学式为：C₁₂₀H₁₆₂Ag₂₈F₁₈Mo₂O₂₀。该炔银簇材料是一种利用MoO₄^2–作为阴离子模板，[AgC≡C^tBu]_n作为主配体、CF₃COOAg作为辅助配体构筑的新型炔银簇，属于三斜晶系，具备潜在的半导体性质和发光性质，可应用于半导体、发光等技术领域。

技术领域

本发明属于无机纳米材料合成的技术领域，尤其涉及一种以钼多酸为阴离子模板构筑的二十八核炔银簇材料及其制备方法。

背景技术

高核银簇合物的形成是一个复杂的过程，涉及到多个组分部件。因此，要想以有序的方式组装成金属银簇合物是极具挑战性的，也就是说，高核银簇合物的合成反应是不可控的。作为银簇化合物的重要分支之一，炔银（I）簇合物的制备和分离是很困难的。早期合成的都是一些结构简单的低核数的炔银簇，这些为后期的高核银簇的发展提供了一些参考和经验。

到目前为止，使用阴离子模板法合成的高核银簇多种多样，阴离子的种类和结构也多种多样。阴离子在构筑银簇的过程中主要发挥了以下三个作用：（a）阴离子模板决定着银簇的尺寸和形状；（b）引入阴离子可以抗衡银簇的局部正电荷提高银簇的稳定性；（c）引入功能性的阴离子合成银簇，有可能会将其自身所带的物理性质融入簇合物体系。阴离子模板法已证明其在构筑高核银簇中的有效性，但是，更大核数的银簇的合成受到了内部阴离子模板尺寸的影响。

因此，通过引入炔银配体和阴离子模板来合成具有发光性质的高核银簇合物，成为研究热点之一。

发明内容

鉴于此，本发明提供了一种以钼多酸为阴离子模板构筑的二十八核炔银簇材料及其制备方法，该银簇材料是采用叔丁基炔银配体，三氟乙酸银辅助配体以及多金属氧酸盐Na₅[CuPMo₁₁O₃₉]^.nH₂O合成的，具备潜在的半导体性质和发光性质，可应用于半导体、发光等技术领域。

本发明采用如下技术方案：

一种以钼多酸为阴离子模板构筑的二十八核炔银簇材料，所述二十八核炔银簇材料由[AgC≡C^tBu]_n，CF₃COOAg以及Na₅[CuPMo₁₁O₃₉]^.nH₂O合成，其化学式为：C₁₂₀H₁₆₂Ag₂₈F₁₈Mo₂O₂₀。

进一步地，所述炔银簇材料属于三斜晶系，空间群为P-1，晶胞参数为a=16.263(2)Å，b=17.129(2) Å，c=18.205(2) Å，α=82.945(3)°，β=70.342(3)°，γ=62.501(3)°，V=4233.2(9) ų。

一种以钼多酸为阴离子模板构筑的二十八核炔银簇材料的制备方法，所述炔银簇材料的制备方法具体为：