[发明专利]一种低功耗的动态比较器电路在审

专利信息
申请号: 202010868040.3 申请日: 2020-08-26
公开(公告)号: CN112003594A 公开(公告)日: 2020-11-27
发明(设计)人: 李靖;尧博文;田明;于奇;宁宁 申请(专利权)人: 电子科技大学;上海华力微电子有限公司
主分类号: H03K5/24 分类号: H03K5/24
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 动态 比较 电路
【权利要求书】:

1.一种低功耗的动态比较器电路,包括偏置模块、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管,第一NMOS管的栅极作为所述动态比较器电路的正向输入端,其漏极连接第一PMOS管的漏极和第二PMOS管的栅极并作为所述动态比较器电路的负向输出端,其源极连接第二NMOS管的源极和所述偏置模块提供的直流偏置;第二NMOS管的栅极作为所述动态比较器电路的负向输入端,其漏极连接第二PMOS管的漏极和第一PMOS管的栅极并作为所述动态比较器电路的正向输出端;

其特征在于,所述动态比较器电路还包括第三NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第五PMOS管,第三PMOS管的栅极连接时钟信号,其源极连接第三NMOS管的源极和所述动态比较器电路的负向输入端,其漏极连接第三NMOS管的漏极和所述动态比较器电路的正向输入端;第三NMOS管的栅极连接所述时钟信号的反相信号;第四PMOS管的栅漏短接并连接第一PMOS管的源极,第五PMOS管的栅漏短接并连接第二PMOS管的源极,第四PMOS管和第五PMOS管的源极连接电源电压。

2.根据权利要求1所述的低功耗的动态比较器电路,其特征在于,所述偏置模块包括第四NMOS管,第四NMOS管的栅极连接所述时钟信号,其源极接地,其漏极连接第一NMOS管和第二NMOS管的源极。

3.根据权利要求2所述的低功耗的动态比较器电路,其特征在于,第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管的衬底均接地,第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和第五PMOS管的衬底均连接电源电压。

4.根据权利要求1-3任一项所述的低功耗的动态比较器电路,其特征在于,所述动态比较器电路还包括接在第一PMOS管漏极和源极之间的第一开关、以及接在第二PMOS管漏极和源极之间的第二开关,当所述时钟信号为低电平时控制第一开关和第二开关闭合。

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