[发明专利]一种保护电路有效
申请号: | 202010869809.3 | 申请日: | 2020-08-26 |
公开(公告)号: | CN112018729B | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 杜锋刚;厉干年;李华铭 | 申请(专利权)人: | 上海军陶科技股份有限公司 |
主分类号: | H02H7/12 | 分类号: | H02H7/12 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 颜希文;郝传鑫 |
地址: | 200000 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 保护 电路 | ||
1.一种保护电路,包括:
欠压保护模块,用于在输入电压VIN+和切断控制信号A的控制下控制补偿信号COMP的幅值,并通过拉低欠压保护信号P节点电压以实现输入欠压保护;
过流及短路打嗝保护模块,用于在所述补偿信号COMP过高时输出切断控制信号A至所述欠压保护模块;所述过流及短路打嗝保护模块包括第二分压网络、第二基准比较器(U7)、第三负载电阻(R40)、充放电电阻(R31)、充放电电容(C50)、第五NPN三极管(Q5)、第一限流电阻(R33)、第二限流电阻(R46)、第三限流电阻(R47)、第四负载电阻(R50)、第四去毛刺电容(C54)、第三PNP三极管(Q3)、放电二极管(D11)和隔离二极管(D14),补偿电压COMP节点通过第二分压电阻连接至第二基准比较器U7的输入端,第二基准比较器(U7)的输出端即HIPCUP节点通过第三负载电阻(R40)连接至电源VCC,同时还连接至第五NPN三极管(Q5)的集电极和充放电电容(C50)的一端,所述充放电电容(C50)的另一端连接至充放电电阻(R31)的一端、放电二极管(D11)的阳极和第一限流电阻(R33)的一端,放电二极管(D11)的阴极连接至所述电源VCC,同时还连接至第三PNP三极管(Q3)的发射极,第一限流电阻(R33)的另一端连接至第三PNP三极管(Q3)的基极,第三PNP三极管(Q3)的集电极连接至第四负载电阻(R50)的一端和第二限流电阻(R46)的一端、第四去毛刺电容(C54)的一端以及第三限流电阻(R47)的一端,第五NPN三极管(Q5)的发射极连接至第四负载电阻(R50)的另一端和第四去毛刺电容(C54)的另一端,第二限流电阻(R46)的另一端连接至第五NPN三极管(Q5)的基极,第三限流电阻(R47)的另一端连接至隔离二极管(D14)的阳极,所述隔离二极管(D14)的阴极与第六NPN三极管(Q6)的基极和第二偏置电阻(R52)的一端以及第二去毛刺电容(C52)的一端组成切断控制信号A节点;其中,所述第六NPN三极管(Q6)、所述第二偏置电阻(R52)和所述第二去毛刺电容(C52)均属于所述欠压保护模块;
脉宽调制器模块,用于在所述欠压保护模块输出的欠压保护信号P和所述过流及短路打嗝保护模块输出的补偿信号COMP的控制下,开启或关闭脉宽调制控制芯片的PWM输出GS。
2.如权利要求1所述的一种保护电路,其特征在于:所述欠压保护模块包括第一分压网络、第一基准比较器(U6)、第一上拉电阻(R39)、第一偏置电阻(R45)、第二偏置电阻(R52)、第六NPN三极管(Q6)以及第二去毛刺电容(C52),输入电压VIN+经第一分压网络输出至第一基准比较器(U6)的输入端,第一基准比较器(U6)的输出端通过第一上拉电阻(R39)连接至电源VCC,并通过第一偏置电阻(R45)连接至第六NPN三极管(Q6)的基极和第二偏置电阻(R52)的一端以及第二去毛刺电容(C52)的一端,所述第六NPN三极管Q6的发射极、第二偏置电阻R52的另一端以及第二去毛刺电容(C52)的另一端接地SGND,集电极控制所述欠压保护信号P。
3.如权利要求2所述的一种保护电路,其特征在于:所述第一分压网络包括第一分压电阻(R42)、第二分压电阻、第一去毛刺电容(C53)、第二回差电阻(R41),所述输入电压VIN+经第一分压电阻(R42)连接至第二分压电阻的一端、第一去毛刺电容(C53)的一端、第二回差电阻(R41)的一端以及第一基准比较器(U6)的输入端,第二分压电阻的另一端、第一去毛刺电容C53的另一端接地SGND。
4.如权利要求3所述的一种保护电路,其特征在于:所述第二分压网络包括第三分压电阻(R35)、第四分压电阻(R51)、第三去毛刺电容(C55),所述第三分压电阻(R35)的一端连接至第四分压电阻(R51)的一端、第三去毛刺电容(C55)的一端以及第二基准比较器(U7)的输入端,所述第三分压电阻R35的另一端连接至补偿电压COMP节点,所述第四分压电阻(R51)、第三去毛刺电容(C55)另一端接地SGND。
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