[发明专利]三维存储器的制造方法有效
申请号: | 202010870228.1 | 申请日: | 2020-08-26 |
公开(公告)号: | CN111968985B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 刘云飞 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H10B41/35 | 分类号: | H10B41/35;H10B41/20;H10B43/35;H10B43/20 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 杜娟;骆希聪 |
地址: | 430079 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 存储器 制造 方法 | ||
1.一种三维存储器的制造方法,包括:
提供半导体结构,所述半导体结构具有衬底、形成于所述衬底上的堆叠结构,所述堆叠结构包括核心存储区以及台阶区;
在所述核心存储区和所述台阶区上方覆盖介质层;
在所述台阶区上方的介质层上方覆盖第一光阻层;
对所述第一光阻层进行曝光形成超交联结构层,使所述第一光阻层具有高抗刻蚀性;
在所述超交联结构层上方覆盖第二光阻层;
去除所述核心存储区上方的介质层;以及
去除所述台阶区上方的所述第二光阻层和所述超交联结构层。
2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第二光阻层的抗刻蚀性低于所述第一光阻层的抗刻蚀性。
3.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在所述核心存储区上方覆盖介质层之前包括:在所述核心存储区上方覆盖阻挡层。
4.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在所述核心存储区和所述台阶区上方覆盖介质层的步骤中,所述台阶区上方的介质层的厚度和所述核心存储区上方的介质层的厚度相同。
5.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第二光阻层完全包覆所述超交联结构层。
6.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,还包括:采用化学机械研磨工艺处理所述核心存储区和所述台阶区的上表面,使所述核心存储区和所述台阶区的上表面平齐。
7.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,去除所述台阶区上方的所述第二光阻层和所述超交联结构层的步骤包括:采用灰化工艺,利用包括氧气的反应气体去除所述第二光阻层和所述超交联结构层。
8.如权利要求7所述的制造方法,其特征在于,所述反应气体中还包括氢气和氮气。
9.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一光阻层的材料包括SU-8环氧树脂。
10.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一光阻层的官能度大于等于2。
11.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述三维存储器为3D NAND存储器。
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