[发明专利]负极材料及使用其的电化学装置和电子装置有效

专利信息
申请号: 202010870352.8 申请日: 2018-12-17
公开(公告)号: CN111987296B 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 姜道义;崔航;谢远森 申请(专利权)人: 宁德新能源科技有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/485;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 萧辅宽
地址: 352100 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 负极 材料 使用 电化学 装置 电子
【权利要求书】:

1.一种负极材料,所述负极材料包括:

硅化合物SiOx,其中x为0.5-1.5;

碳层;

所述硅化合物SiOx和所述碳层之间具有氧化物MeOy层;

其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一种,其中y为0.5-3;以及

其中所述MeOy层与所述碳层相邻的表面具有开口的孔隙结构,并且所述开口的孔隙结构的至少一部分被所述碳层填充;且

所述负极材料的比表面积为2-10cm2/g。

2.根据权利要求1所述的负极材料,其中所述MeOy层中具有没有开口的孔隙结构。

3.根据权利要求1所述的负极材料,其中所述硅化合物SiOx包含SiO、SiO2或其组合。

4.根据权利要求1所述的负极材料,其中所述MeOy层包含TiO2、Al2O3或其组合。

5.根据权利要求1所述的负极材料,其中所述MeOy层中含有碳,其中基于所述硅化合物SiOx和所述MeOy层的总重量计,所述MeOy层中的碳的含量为0.1wt%-1wt%。

6.根据权利要求5所述的负极材料,其中所述MeOy层中的碳的含量为0.2wt%-0.4wt%。

7.根据权利要求1所述的负极材料,其中所述硅化合物SiOx的平均粒径为500nm-30μm。

8.根据权利要求1所述的负极材料,其中所述MeOy层的厚度为2nm-1000nm。

9.根据权利要求1所述的负极材料,其中所述MeOy层的厚度为5nm-50nm。

10.根据权利要求1所述的负极材料,其中所述碳层的厚度为2nm-1000nm。

11.根据权利要求1所述的负极材料,其中所述碳层的厚度为10nm-100nm。

12.根据权利要求1所述的负极材料,其中基于所述负极材料的总重量计,所述负极材料含有的碳的含量为1wt%-6wt%。

13.一种制备根据权利要求1-12中任一项所述的负极材料的方法,所述方法包括:

(1)将SiOx粉末、致孔剂和氧化物前驱体MeXn在有机溶剂和去离子水的存在下形成混合溶液;

干燥所述混合溶液得到粉末;以及

将所述粉末烧结得到包覆有氧化物MeOy层的硅化合物SiOx颗粒;和

(2)将所述包覆有MeOy层的硅化合物SiOx颗粒、有机溶剂和碳前驱体混合形成混合溶液;

干燥所述混合溶液得到粉末;以及

将所述粉末烧结得到所述负极材料;

其中x为0.5-1.5,y为0.5-3,

其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、Cr、V、Co、Zr中的至少一种,

其中X包括甲氧基、乙氧基、异丙氧基、卤素中的至少一种,且

其中n为1、2、3或4。

14.一种负极极片,其包含如权利要求1-12中任一项所述的负极材料或根据权利要求13制备的负极材料。

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