[发明专利]一种片式衰减器的制备方法

说明书

本发明公开了一种片式衰减器的制备方法，其包括以下步骤：步骤一：采用厚膜工艺或物理沉积工艺在基板的正面成型正面电极层，在基板的背面成型背面电极层；步骤二：在基板的正面通过物理或化学方法沉积成型薄膜电阻层；步骤三：采用冷激光扫描切割或离子束刻蚀技术，对薄膜电阻层进行修阻；步骤四：采用物理沉积工艺或涂布工艺在基板的两个侧边上成型侧面电极层，得到片式衰减器。本发明所述的片式衰减器的制备方法，可以解决现有技术中采用厚膜工艺制备片式衰减器以致衰减器产品衰减量不稳定、成本较高的问题。

技术领域

本发明涉及电器元件制备领域，具体涉及一种片式衰减器的制备方法。

背景技术

目前片式衰减器通常采用厚膜工艺制作，即采用厚膜电阻以及相应的导体浆料，通过丝网印刷的工艺将浆料以图案形式印制在基底材料上，再经严格热处理程序进行烧结。厚膜工艺操作较为简单，但另一方面，厚膜工艺所用的材料价格高，导致产品成本偏高，不利于生产；且厚膜工艺在高频场合应用时，更容易受趋肤效应的影响，导致衰减量不稳定。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的在于提供一种片式衰减器的制备方法，以解决现有技术中采用厚膜工艺制备片式衰减器以致衰减器产品衰减量不稳定、成本较高的问题。

为实现上述目的，本发明所提供的一种片式衰减器，其包括以下步骤：

步骤一：采用厚膜工艺或物理沉积工艺在基板的正面成型正面电极层，在基板的背面成型背面电极层；

步骤二：在基板的正面通过物理或化学方法沉积成型薄膜电阻层；

步骤三：采用冷激光扫描切割或离子束刻蚀技术，对薄膜电阻层进行修阻，同时可以对π形电阻的三个薄膜电阻进行匹配调阻，提高π形电阻的匹配性，以提高衰减器衰减量的精度以及高频特性；

步骤四：采用物理沉积工艺或涂布工艺在基板的侧边上成型侧面电极层，得到片式衰减器。

进一步地，所述步骤二具体为：采用印刷掩膜工艺或机械掩膜工艺在基板的正面电极层上成型电阻掩膜层，再通过物理沉积工艺或化学沉积工艺在电阻掩膜层未覆盖的位置成型所述薄膜电阻层。

进一步地，还包括以下步骤：在修阻后的薄膜电阻层上采用厚膜工艺依次覆盖第一保护层和第二保护层，并在第一保护层成型后进行固化处理。

进一步地，所述第一保护层、第二保护层的材料为防焊油墨或环氧树脂。

进一步地，还包括以下步骤：在第二保护层上采用厚膜工艺印刷成型标记层。

进一步地，所述正面电极层、背面电极层的材料为金属导体。

进一步地，所述金属导体为银、银钯、镍铬材料、镍铜材料中的一种。

进一步地，还包括以下步骤：在侧面电极层上采用电镀或化学镀的工艺依次成型第一电极层和第二电极层。

进一步地，所述第一电极层为镍层；所述第二电极层为锡层或银层。

进一步地，所述薄膜电阻层的材料为镍铬、镍铬硅、镍铬硅铝、镍铜、氮化钽、铬硅中的一种。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：通过物理或化学沉积方法代替厚膜工艺成型薄膜电阻层，同时配合冷激光扫描切割或离子束刻蚀技术的修阻工艺对衰减器π形电阻的三个薄膜电阻进行匹配调阻，即降低了电阻厚度，减少了趋肤效应的影响，减小了衰减器产品的回波损耗；匹配调阻提高了π形电阻的配合精度，从而提高了衰减精度；薄膜工艺具有对比厚膜工艺更高的精度以及稳定性，提高了产品的长期稳定性和环境耐受性；同时由于部分制备步骤采用溅射工艺，降低了制备成本。

附图说明

图1为本发明所述的片式衰减器的制备流程图；