[发明专利]闪存芯片的读干扰测试方法、装置及可读存储介质

权利要求书

1.一种闪存芯片的读干扰测试方法，其特征在于，包括：

对待测试的闪存芯片进行预操作，所述预操作包括对所述闪存芯片的每个存储位进行至少一次预编程；

在所述预操作之后，对所述待测试的闪存芯片进行读干扰测试。

2.如权利要求1所述的闪存芯片的读干扰测试方法，其特征在于，所述预操作还包括在每次所述预编程之后和/或之前，对所述闪存芯片的每个存储位进行一次预擦除。

3.如权利要求1或2所述的闪存芯片的读干扰测试方法，其特征在于，

对待测试的闪存芯片进行预操作的步骤包括：对所述闪存芯片的每个存储位均依次进行第一次预擦除、预编程、第二次预擦除。

4.如权利要求2所述的闪存芯片的读干扰测试方法，其特征在于，所述预操作包括：对所述闪存芯片的每个存储位均进行第一次预擦除，以及，在所述第一次预擦除之后，执行存储功能测试，所述存储功能测试包括多次循环编程和擦除操作，且循环的次数取决于所述闪存芯片的整个性能测试时间。

5.一种闪存芯片的性能测试方法，其特征在于，包括：

按照含有读干扰测试项目的第一针测程序，对所述闪存芯片进行第一次测试，且在进行到所述读干扰测试项目时，按照权利要求1～4中任一项所述的闪存芯片的读干扰测试方法，对所述闪存芯片进行读干扰测试；

在所述第一次测试完成之后，对所述闪存芯片进行烘烤，以模拟老化过程；

按照第二针测程序，对所述闪存芯片进行数据保持性能测试。

6.一种闪存芯片的读干扰测试装置，其特征在于，包括：

预操作模块，用于对待测试的闪存芯片进行预操作，所述预操作包括对所述闪存芯片的每个存储位进行至少一次预编程；

读干扰测试模块，用于在所述预操作之后，对所述待测试的闪存芯片进行读干扰测试。

7.如权利要求6所述闪存芯片的读干扰测试装置，其特征在于，所述预操作模块包括预编程单元和预擦除单元，所述预编程单元用于在对所述待测试的闪存芯片进行读干扰测试之前，对所述闪存芯片的每个存储位进行至少一次预编程；所述预擦除单元用于在所述预编程模块每次执行所述预编程之后和/或之前，对所述闪存芯片的每个存储位进行一次预擦除。

8.如权利要求6或7所述闪存芯片的读干扰测试装置，其特征在于，所述预操作模块，包括：

第一次预擦除单元，用于在对所述待测试的闪存芯片进行读干扰测试之前，对所述闪存芯片的每个存储位均进行第一次预擦除；

预编程单元，用于对所述第一次预擦除后的所述闪存芯片的每个存储位均进行预编程；

第二次预擦除单元，用于对所述预编程后的所述闪存芯片的每个存储位均进行第二次预擦除。

9.如权利要求6所述闪存芯片的读干扰测试装置，其特征在于，所述预操作用于：对所述闪存芯片的每个存储位,均进行第一次预擦除，以及，在所述第一次预擦除之后,执行存储功能测试，所述存储功能测试包括多次循环编程和擦除操作，且循环的次数取决于所述闪存芯片的整个性能测试时间。

10.一种包含计算机可执行指令的可读存储介质，其特征在于，所述计算机可执行指令在由计算机处理器执行时，用于执行如权利要求1-4中任一项所述的闪存芯片的读干扰测试方法。