[发明专利]CMOS器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010872435.0 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111785689A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种CMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上形成第一阱区和第二阱区；
在所述第一阱区和所述第二阱区上形成栅氧化层，位于所述第一阱区的栅氧化层厚度小于位于所述第二阱区的栅氧化层厚度；
在所述第一阱区的栅氧化层和所述第二阱区的栅氧化层上依次形成多晶硅层、保护层和硬掩膜层；
刻蚀所述硬掩膜层、所述保护层和所述多晶硅层，形成分别位于所述第一阱区和所述第二阱区上方的多晶硅栅级；
形成至少覆盖所述多晶硅栅级侧壁的侧墙；以及
以所述硬掩膜层为掩膜执行漏极轻掺杂。
2.如权利要求1所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙通过沉积薄高温氧化物膜形成。
3.如权利要求1所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，以所述硬掩膜层为掩膜执行源漏轻掺杂之后，还包括：
去除所述硬掩膜层。
4.如权利要求1所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，形成所述多晶硅栅级之后，形成至少覆盖所述多晶硅栅级侧壁的所述侧墙之前还包括：执行快速热氧化退火。
5.如权利要求4所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述快速热氧化退火工艺包括：在干燥O2环境中，退火温度范围：1000℃～1200℃，退火时间30s～60s。
6.如权利要求1所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述第一阱区上形成第一电压晶体管，所述第二阱区上形成第二电压晶体管，所述第一电压小于所述第二电压。
7.如权利要求6所述的CMOS器件的形成方法，其特征在于，所述第一电压包括：1.2V或1.5V；所述第二电压包括：5V或12V。
8.一种CMOS器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上形成有第一阱区和第二阱区；所述第一阱区和所述第二阱区上均形成有栅氧化层，位于所述第一阱区的栅氧化层厚度小于位于所述第二阱区的栅氧化层厚度；
所述第一阱区的栅氧化层和所述第二阱区的栅氧化层上均依次层叠形成有多晶硅栅极、保护层和硬掩膜层；
所述多晶硅栅极的侧壁形成有侧墙；
所述第一阱区和所述第二阱区均形成有轻掺杂漏区。
9.如权利要求8所述的CMOS器件，其特征在于，所述侧墙还覆盖所述保护层的侧壁，所述侧墙的底部覆盖所述栅氧化层的两端被所述多晶硅栅极暴露出的部分。
10.如权利要求8所述的CMOS器件，其特征在于，所述硬掩模层包括氮化硅层，所述保护层包括氧化硅层。
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