[发明专利]保护膜形成用复合片在审
| 申请号： | 202010872512.2 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112447573A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 小升雄一朗 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C09J7/20;C09J7/40 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护膜 形成 复合 | ||
【权利要求书】：
1.一种保护膜形成用复合片，其具备基材，并在所述基材的一个面上依次且以相互接触的方式层叠有能量射线固化性粘着剂层及保护膜形成用膜，
所述粘着剂层的凝胶分率为80％以上。
2.一种保护膜形成用复合片，其具备基材，并在所述基材的一个面上依次且以相互接触的方式层叠有能量射线固化性粘着剂层及保护膜形成用膜，
所述粘着剂层的凝胶分率为20％以上且小于80％，
所述保护膜形成用膜的玻璃化转变温度为3℃以上。
3.根据权利要求1所述的保护膜形成用复合片，其中，所述保护膜形成用膜的玻璃化转变温度为3℃以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的保护膜形成用复合片，其中，所述保护膜形成用膜在23℃下的损耗模量为3MPa以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的保护膜形成用复合片，其中，
所述保护膜形成用膜含有填充材料(D)，
在所述保护膜形成用膜中，所述填充材料(D)的含量相对于所述保护膜形成用膜的总质量的比例为50质量％以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
