[发明专利]一种DRAM内存时序配置方法和装置有效

专利信息
申请号: 202010873494.X 申请日: 2020-08-26
公开(公告)号: CN112099733B 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 何灿阳 申请(专利权)人: 瑞芯微电子股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 代理人: 徐剑兵;林祥翔
地址: 350003 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 dram 内存 时序 配置 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种DRAM内存时序配置方法,用于配置DRAM内存为第一DRAM的时序或者为第二DRAM的时序,所述第一DRAM具有第一线宽,所述第二DRAM具有第二线宽,所述第一线宽与第二线宽不同,所述第一DRAM具有终端数据选通功能,所述第二DRAM不具有终端数据选通功能,终端数据选通功能与数据掩护功能共用一个引脚,其特征在于,包括如下步骤:

在DRAM内存的预设位置写入第一数据;

开启DRAM内存的终端数据选通功能;

在DRAM内存的所述预设位置的部分位写入第二数据,第二数据的位数据与第一数据的位数据不同;

关闭DRAM内存的终端数据选通功能;

从DRAM内存的所述预设位置读出数据,判断读出数据是否等于第二数据;

如果等于第二数据,则DRAM内存的识别结果为第一DRAM;如果不等于第二数据,则DRAM内存的识别结果为第二DRAM;

根据识别结果和内存大小以及预存的时序表获取对应的时序,所述时序表存储有第一DRAM对应的时序和第二DRAM对应的时序;

配置所述对应的时序到DRAM内存。

2.根据权利要求1所述的一种DRAM内存时序配置方法,其特征在于:所述第一DRAM为8bit的DRAM内存;所述第二DRAM为16bit的DRAM内存。

3.根据权利要求1所述的一种DRAM内存时序配置方法,其特征在于:所述时序表存储有第一DRAM和第二DRAM以及DRAM内存颗粒容量和时序的对应关系,所述根据识别结果以及预存的时序表获取对应的时序包括步骤:

根据识别结果和DRAM内存总容量识别DRAM内存颗粒容量,根据识别结果、DRAM内存颗粒容量以及预存的时序表获取对应的时序。

4.根据权利要求1所述的一种DRAM内存时序配置方法,其特征在于:所述第一DRAM或者第二DRAM的类型为DDR2、DDR3或者DDR4。

5.根据权利要求1所述的一种DRAM内存时序配置方法,其特征在于:所述第一数据的位数据为1以及第二数据的位数据为0;或者所述第一数据的位数据为0以及第二数据的位数据为1。

6.根据权利要求1所述的一种DRAM内存时序配置方法,其特征在于:所述时序为tRFC时序。

7.一种DRAM内存时序配置装置,其特征在于:包括存储器、处理器和DRAM内存,所述存储器上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1到6任意一项所述方法的步骤。

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