[发明专利]一种低温电极片及其制备方法和低温锂电池

权利要求书

1.一种低温电极片，其特征在于，所述低温电极片包括电极材料和表面带有螯合涂层的集流体；

所述表面带有螯合涂层的集流体包括：集流体和所述集流体表面的螯合转化涂层；其中，所述螯合转化涂层具有P＝O和P-OH键，并且具有SiO₂纳米层结构；

所述螯合转化涂层通过：将乙烯基硅烷溶于乙醇和丙酮的混合溶液形成第一溶液，将植酸溶于三羟甲基氨基甲烷Tris-盐酸HCL缓冲液形成第二溶液，将第一溶液加入第二溶液中发生螯合反应得到。

2.根据权利要求1所述的低温电极片，其特征在于，所述低温电极片为正极片，所述电极材料的活性物质包括：锂钴氧化物、锂镍氧化物、锂锰氧化物、锰镍钴复合氧化物、铝镍钴复合氧化物、锂钒氧化物、锂铁氧化物、硫化物中的一种或几种的混合。

3.根据权利要求2所述的低温电极片，其特征在于，所述正极片的集流体为泡沫铝或铝网。

4.根据权利要求1所述的低温电极片，其特征在于，所述低温电极片为负极片，所述电极材料的活性物质包括：碳材料、硅基材料、锡基材料、过渡金属氧化物、金属氮化物、钛基材料中的一种或几种的混合。

5.根据权利要求4所述的低温电极片，其特征在于，所述负极片的集流体为泡沫铜或铜网。

6.根据权利要求1所述的低温电极片，其特征在于，所述螯合反应中，用以制备螯合转化涂层的植酸与乙烯基硅烷相互作用，在所述集流体表面形成所述P＝O和P-OH键。

7.根据权利要求1所述的低温电极片，其特征在于，所述螯合反应中，所述植酸与乙烯基硅烷在所述集流体表面生成所述SiO₂纳米层结构。

8.一种上述权利要求1-7任一所述的低温电极片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

将乙烯基硅烷溶于乙醇和丙酮的混合溶液形成第一溶液；其中，乙醇：丙酮的体积比大于等于1:1；所述第一溶液的浓度在0.002g/ml～0.016g/ml；

将适量植酸PA溶于三羟甲基氨基甲烷Tris-盐酸HCL缓冲液,得到pH＝8.5的第二溶液；

将第一溶液加入第二溶液中，发生螯合反应；

将发生螯合反应后的溶液喷洒在集流体上形成螯合转化涂层；

将集流体干燥后涂敷电极材料，即得所述低温电极片。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第二溶液中加入的PA与第一溶液中加入的乙烯基硅烷的质量比为1:2。

10.一种低温锂电池，其特征在于，所述低温锂电池包括上述权利要求1-7中的任一项所述的低温电极片。