[发明专利]一种显示面板及显示装置有效
申请号: | 202010873746.9 | 申请日: | 2020-08-26 |
公开(公告)号: | CN111987128B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 蔡华堂 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 430205 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
多个像素,所述像素包括第一像素,所述第一像素包括第一发光器件;
显示区,所述显示区包括第一显示区,所述第一发光器件位于所述第一显示区,所述第一发光器件包括第一阳极,所述第一阳极包括电致膨胀结构;
显示阶段,在所述显示阶段,所述电致膨胀结构在所述显示面板的厚度方向上具备第一覆盖面积;
成像阶段,在所述成像阶段,所述电致膨胀结构在所述显示面板的厚度方向上具备第二覆盖面积;所述第一覆盖面积大于所述第二覆盖面积。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一阳极还包括电致收缩结构,所述电致收缩结构与所述电致膨胀结构相连且同层设置;所述电致收缩结构的透光率大于所述电致膨胀结构的透光率;
在所述显示阶段,所述电致收缩结构在所述显示面板的厚度方向上具备第三覆盖面积;
在所述成像阶段,所述电致收缩结构在所述显示面板的厚度方向上具备第四覆盖面积;所述第三覆盖面积小于所述第四覆盖面积。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一阳极还包括第一固定导电结构;所述第一固定导电结构与所述电致膨胀结构和/或所述电致收缩结构相连,且所述第一固定导电结构的至少部分、所述电致膨胀结构以及所述电致收缩结构同层设置。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一固定导电结构与所述电致膨胀结构和/或所述电致收缩结构电连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一固定导电结构包括第一分部,所述第一分部、所述电致膨胀结构以及所述电致收缩结构同层设置。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一分部与所述电致膨胀结构电连接,所述电致膨胀结构与所述电致收缩结构电连接。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一分部分别与所述电致膨胀结构和所述电致收缩结构电连接。
8.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一固定导电结构还包括第二分部,所述第二分部位于所述第一分部靠近所述衬底基板的一侧,所述第二分部与所述第一分部电连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述电致膨胀结构与所述第二分部接触且电连接;和/或,
所述电致收缩结构与所述第二分部接触且电连接。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第二分部为透明结构;或者,
所述第二分部包括第一透明部分和第一非透明部分,在所述显示面板的厚度方向上,所述第一透明部分不与所述第一分部相互交叠,所述第一非透明部分与所述第一分部相互交叠。
11.根据权利要求5-10任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一固定导电结构还包括第三分部,所述第三分部位于所述第一分部远离所述衬底基板的一侧,所述第三分部与所述第一分部电连接;
所述电致膨胀结构与所述第三分部接触且电连接,所述电致收缩结构与所述第三分部接触且电连接;
所述第一像素还包括有机发光层,所述有机发光层位于所述第三分部远离所述衬底基板的一侧。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述第三分部为透明结构;或者,
所述第三分部包括第二透明部分和第二非透明部分,在所述显示面板的厚度方向上,所述第二透明部分不与所述第一分部相互交叠,所述第二非透明部分与所述第一分部相互交叠。
13.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括信号走线,所述信号走线分别与所述电致膨胀结构和所述电致收缩结构电连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉天马微电子有限公司,未经武汉天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010873746.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的