[发明专利]一种基于二硒化铂/n-型超薄硅肖特基结的颜色探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于二硒化铂/n-型超薄硅肖特基结的颜色探测器，其特征在于：所述颜色探测器是由两个相同的肖特基结单元组合而成；

所述肖特基结单元是在玻璃衬底(1)的上表面固定有厚度为20-30μm的n-型超薄硅片(2)，在所述n-型超薄硅片(2)上铺设有二硒化铂薄膜(3)；在所述n-型超薄硅片(2)上设置有与其呈欧姆接触的n-型超薄硅接触电极(4)，在所述二硒化铂薄膜(3)上设置有与其呈欧姆接触的二硒化铂接触电极(5)；在所述肖特基结单元中，由n-型超薄硅片与二硒化铂薄膜构成肖特基结；

以第一肖特基结单元的玻璃衬底的下表面与第二肖特基结单元的玻璃衬底的上表面叠合，即构成颜色探测器；

当光从第一肖特基结单元的上表面逐层照射所述颜色探测器时，第一肖特基结单元与第二肖特基结单元的电流比，随被探测光波长的增大而减小，从而可根据电流比识别被探测光的波长。

2.根据权利要求1所述的颜色探测器，其特征在于：所述玻璃衬底(1)的厚度为0.8-1mm。

3.根据权利要求1所述的颜色探测器，其特征在于：所述n-型超薄硅片(2)的电阻率为1-7Ω·cm的n-型轻掺杂硅片。

4.根据权利要求1所述的颜色探测器，其特征在于：所述二硒化铂薄膜(3)的厚度为20-25nm。

5.根据权利要求1所述的颜色探测器，其特征在于：所述n-型超薄硅接触电极(4)为30-500nm厚的In/Ga合金电极。

6.根据权利要求1所述的颜色探测器，其特征在于：所述二硒化铂接触电极(5)为30-300nm厚的Ag电极。

7.一种权利要求1～6中任意一项所述颜色探测器的制备方法，其特征在于，按如下步骤进行：

步骤1、将n-型超薄硅片放在质量浓度为5％-10％的氢氟酸溶液或BOE刻蚀液中刻蚀5-10分钟，去除表面的自然氧化层，取出后进行清洗并干燥；

步骤2、将经步骤1处理后的n-型超薄硅片转移到清洗干净的玻璃衬底上；

步骤3、将二硒化铂薄膜转移至n-型超薄硅片上；

步骤4、采用涂抹的方法，分别在n-型超薄硅片与二硒化铂薄膜上制作n-型超薄硅接触电极和二硒化铂接触电极，即形成肖特基结单元；

步骤5、取两个按照步骤1～4制得的相同的肖特基结单元，以第一肖特基结单元的玻璃衬底的下表面与第二肖特基结单元的玻璃衬底的上表面叠合，即完成基于二硒化铂/n-型超薄硅肖特基结的颜色探测器的制备。