[发明专利]高吸收热电堆及其制作方法

权利要求书

1.一种热电堆，其特征在于，所述热电堆包括红外吸收层；

其中，所述红外吸收层包括旋涂碳材质。

2.如权利要求1所述的热电堆，其特征在于，包括：

红外吸收层，为复合叠层；所述红外吸收层包括：

中红外吸收层；

近红外吸收层，形成于所述中红外吸收层上；其中，所述近红外吸收层包括旋涂碳材质。

3.如权利要求1或2所述的热电堆，其特征在于，所述红外吸收层包括多个纳米凸起。

4.如权利要求3所述的热电堆，其特征在于，所述纳米凸起包括纳米线、纳米柱或者纳米椎。

5.如权利要求2所述的热电堆，其特征在于，所述中红外吸收层的材质包括氮化硅、碳化硅或者多晶硅材料。

6.如权利要求1所述的热电堆，其特征在于，所述热电堆在红外吸收层的下方由上至下还依次包括热电偶、支撑层和衬底；其中，所述热电堆还设置背腔；所述背腔由衬底背面释放形成。

7.一种热电堆的制作方法，其特征在于，包括：采用旋涂方法形成包括旋涂碳材质的红外吸收层。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在形成红外吸收层之前，所述制作方法还包括在衬底上外延形成支撑层和热电偶的步骤；

在形成红外吸收层之后，所述制作方法还包括如下步骤：

步骤A：采用保护膜对红外吸收层进行保护；

步骤B：在所述衬底上刻蚀形成背腔；

步骤C：采用灰化工艺去除保护膜，完成制备。

9.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，包括多个纳米凸起的红外吸收层的制备具体包括：对红外吸收层进行刻蚀，形成多个纳米凸起。

10.如权利要求9所述的热电堆的制作方法，其特征在于，

采用光刻、电子束光刻或者纳米压印方法对红外吸收层进行刻蚀形成多个纳米凸起；

刻蚀前，光刻胶需要用O₂等离子体进行修剪，形成预设的纳米凸起形貌；

在刻蚀过程中，刻蚀气为O₂，压力为1～20mT，上射频功率为100～500W，下射频功率为0～100W。