[发明专利]一种减少氧化镓衬底层厚度的方法在审
| 申请号： | 202010874399.1 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111968918A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 徐光伟;俞扬同;赵晓龙;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/461 | 分类号： | H01L21/461;H01L21/465;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 氧化 衬底 厚度 方法 | ||
1.一种减少氧化镓衬底层厚度的方法，包括：
S1，对氧化镓上表面进行刻蚀；
S2，分别在所述氧化镓和硅片上表面依次生长第一金属层和第二金属层；
S3，对所述氧化镓和所述硅片的第二金属层进行刻蚀；
S4，将所述氧化镓的第二金属层和硅片的第二金属层键合，使所述氧化镓粘附在所述硅片上；
S5，对粘附在硅片上的氧化镓进行厚度减薄。
2.根据权利要求1所述的减少氧化镓衬底层厚度的方法，其特征在于，所述S2中第一金属层为Ti，第二金属层为Au或者Cu。
3.根据权利要求1所述的减少氧化镓衬底层厚度的方法，其特征在于，所述S1中，采用感应耦合等离子体方法对氧化镓上表面进行刻蚀，其中，采用O2作为刻蚀气体。
4.根据权利要求1所述的减少氧化镓衬底层厚度的方法，其特征在于，所述S2之前还包括：
S201，对所述氧化镓进行退火处理。
5.根据权利要求4所述的减少氧化镓衬底层厚度的方法，其特征在于，所述S201中采用快速热处理在N2氛围下对所述氧化镓进行退火处理。
6.根据权利要求1所述的减少氧化镓衬底层厚度的方法，其特征在于，所述S2中生长第二金属层的厚度为200-1000nm。
7.根据权利要求1所述的减少氧化镓衬底层厚度的方法，其特征在于，所述S4中键合的温度为300-600℃。
8.根据权利要求1所述的减少氧化镓衬底层厚度的方法，其特征在于，所述S3中，采用感应耦合等离子体方法对氧化镓和所述硅片的第二金属层进行刻蚀，其中，采用Ar作为刻蚀气体。
9.根据权利要求2所述的减少氧化镓衬底层厚度的方法，其特征在于，所述S2中生长Ti的厚度为40-200nm，Ti与Au厚度比例约为1∶3-1∶6。
10.根据权利要求2所述的减少氧化镓衬底层厚度的方法，其特征在于，所述S4中所述氧化镓的第二金属层和硅片的第二金属层键合键合压强为80-200mbar，键合时间为45-90min。
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