[发明专利]用于半导体晶片的通孔的钝化方法

权利要求书

1.一种钝化方法，所述钝化方法用于半导体晶片(10)的通孔，所述钝化方法至少包括以下步骤：

-提供如下的半导体晶片(10)：所述半导体晶片具有上侧(10.1)、下侧(10.2)并且包括多个太阳能电池堆叠(12)；

-其中，每个太阳能电池堆叠(12)按顺序地具有Ge衬底(14)、Ge子电池(16)、至少两个III-V族子电池(18，20)并且具有至少一个贯通开口(22)，其中，所述Ge衬底构成所述半导体晶片(10)的下侧(10.1)，所述至少一个贯通开口从所述半导体晶片(10)的上侧(10.1)延伸至所述半导体晶片(10)的下侧(10.2)并且具有连贯的侧壁(22.1)和椭圆形横截面的外周；

-借助化学气相沉积将介电的隔离层(24)施加到所述半导体晶片(10)的上侧(10.1)、所述半导体晶片(10)的下侧(10.2)和所述贯通开口(22)的侧壁(22.1)上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，借助等离子体辅助的气相沉积来施加所述介电的隔离层(24)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所施加的介电的隔离层(24)在所述贯通开口(22)的侧壁(22.1)上具有至少10nm的层厚度(D1)。

4.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述介电的隔离层(24)包含SiO_x和/或SiN_x。

5.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，首先将所述介电的隔离层(24)施加到所述半导体晶片(10)的上侧(10.1)上，然后使所述半导体晶片(10)旋转，然后将所述介电的隔离层(24)施加到所述下侧(10.2)上。

6.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所提供的半导体晶片(10)的贯通开口(22)

-在与所述半导体晶片(10)的上侧(10.1)邻接的边缘处具有至多1mm和至少50μm的第一直径(B1)，并且

-在与所述半导体晶片(10)的下侧(10.2)邻接的边缘处具有至多1mm和至少50μm的第二直径(B2)，其中，

-所提供的半导体晶片(10)具有至多300μm和至少90μm的总厚度(H1)。

7.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在施加所述介电的隔离层(24)之后，首先在所述上侧(10.1)上然后在所述下侧(10.2)上、或者首先在所述下侧(10.2)上然后在所述上侧(10.1)上使所述介电的隔离层(24)结构化，或者同时使所述下侧(10.2)和所述上侧(10.1)结构化。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，使所述介电的隔离层(24)湿法化学地结构化，其中，分别将第一涂料层施加、固化、曝光和显影和/或借助丝网印刷方法或借助喷墨印刷方法结构化地施加不同于所述第一涂料层的有机材料。

9.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述隔离层(24)构造为由第一层和至少一个第二层组成的层系统，其中，在所述第二层之前施加所述第一层。