[发明专利]一种H桥功率控制方法

说明书

本发明公开了一种H桥功率控制方法，涉及桥式电路技术领域，该H桥功率控制方法，包括MOS驱动电路：U1和U2；功率MOS管：Q1、Q2、Q3和Q4；谐振电路：电容C5和电感L1组成。其中，MOS驱动电路U1一端输入PWM波控制信号PWM1，MOS驱动电路U1分别与功率MOS管Q1、Q2和电容C5相连接，且功率MOS管Q1、Q2也与电容C5连接；MOS驱动电路U2一端输入PWM波控制信号PWM2，MOS驱动电路U2分别与功率MOS管Q3、Q4和电感L1相连接，且功率MOS管Q3、Q4也与电感L1连接。本发明在H桥功率控制上，功率变化连续，不会导致输出功率出现突变，保证了系统的稳定性，解决了目前常见的H桥逆变电路功率调整时采用全桥和半桥状态切换时常采用直接切换，造成功率突变，导致系统出现不稳定的问题。

技术领域

本发明涉及桥式电路技术领域，具体为一种H桥功率控制方法。

背景技术

使用H桥逆变电路进行功率控制时，需要调整频率或者相位进行功率控制，在功率控制范围要求较大时，需要使用全桥工作模式和半桥工作模式切换的方式进行功率控制，全桥和半桥切换时目前采用直接切换，由于半桥最低频率的输出功率和全桥最高频率的输出功率不容易衔接，造成输出功率出现波动，功率的突变，导致系统出现不稳定，存在缺陷。

本发明提供了一种全桥半桥工作无缝切换的方法，可以实现全半桥控制无缝过渡，在不增加硬件成本的情况下，实现连续性功率控制并极大程度提高了功率控制的稳定性。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种H桥功率控制方法，解决了目前常见的H桥逆变电路全桥和半桥状态切换时常采用直接切换，造成功率突变，导致系统出现不稳定的问题。

(二)技术方案

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种H桥功率控制方法，包括MOS驱动电路：U1和U2；

功率MOS管：Q1、Q2、Q3和Q4；

谐振电路：电容C5和电感L1组成。

其中，所述MOS驱动电路U1一端输入PWM波控制信号PWM1，所述MOS驱动电路U1分别与功率MOS管Q1、Q2和电容C5相连接，且功率MOS管Q1、Q2也与电容C5连接。

所述MOS驱动电路U2一端输入PWM波控制信号PWM2，所述MOS驱动电路U2分别与功率MOS管Q3、Q4和电感L1相连接，且功率MOS管Q3、Q4也与电感L1连接。

包括以下步骤：

S1、功率从高到低调整，初始工作状态为F1全桥模式，PWM波控制信号PWM1和PWM2占空比均为50％。

S2、PWM波控制信号PWM1和PWM2占空比保持不变，频率调整到F2，此时工作状态改为F2全桥模式。

S3、频率和PWM波控制信号PWM1占空比保持不变，PWM波控制信号PWM2调低占空比，此时工作状态改为F2全半桥模式。

S4、频率和PWM波控制信号PWM1占空比仍然保持不变，继续调低PWM波控制信号PWM2的占空比，当PWM波控制信号PWM2占空比调整到最小时，此时的工作状态为F2半桥模式。

S5、频率和PWM波控制信号PWM2占空比保持不变，调低PWM波控制信号PWM1的占空比，此时的工作状态为F2半桥模式，达到最小功率。

优选的，功率从低到高调整，此时的工作状态为半桥模式，调整PWM波控制信号PWM1的占空比，从0％调整到50％，PWM波控制信号PWM1占空比调为50％并保持；调整PWM波控制信号PWM2的占空比，从0％调整到50％，当PWM波控制信号PWM1和PWM2占空比均为50％时，此时工作为全桥模式。