[发明专利]氧化硅的选择性蚀刻液及其应用和使用方法

权利要求书

1.一种氧化硅的选择性蚀刻液，其特征在于，以重量计，所述选择性蚀刻液的组成及其为：60-80％的磷酸、1-3％的硝酸、8-12％的醋酸、1-3％的氟硼酸、0-1％表面活性剂、0-1％腐蚀抑制剂、余量为水。

2.如权利要求1所述的氧化硅的选择性蚀刻液，其特征在于，所述氧化硅的选择性蚀刻液含有0.1-1％的表面活性剂；所述表面活性剂为非离子型表面活性剂。

3.如权利要求2所述的氧化硅的选择性蚀刻液，其特征在于，所述非离子型表面活性剂为脂肪族酰胺非离子表面活性剂。

4.如权利要求1所述的氧化硅的选择性蚀刻液，其特征在于，所述氧化硅的选择性蚀刻液含有0.1-1％的腐蚀抑制剂。

5.如权利要求4所述的氧化硅的选择性蚀刻液，其特征在于，所述腐蚀抑制剂为可溶性的碳酸氢盐。

6.如权利要求5所述的氧化硅的选择性蚀刻液，其特征在于，所述碳酸氢盐为碳酸氢铵。

7.如权利要求1至6任意一项所述的氧化硅的选择性蚀刻液，其特征在于，所述选择性蚀刻液的蚀刻选择比，即氧化硅的蚀刻速率/氮化硅的蚀刻速率为25以上。

8.一种权利要求1-7所述的氧化硅的选择性蚀刻液的应用，其特征在于，所述氧化硅的选择性蚀刻液用于晶圆上铝铜合金湿法蚀刻过程中生成的氧化硅层的选择性蚀刻。

9.一种权利要求1-7所述的氧化硅的选择性蚀刻液的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)将沉积有铝铜合金的晶圆用金属蚀刻液蚀刻铝铜合金；

(b)将蚀刻后的晶圆在权利要求1-7所述的氧化硅的选择性蚀刻液中放置1-30s，氧化硅的选择性蚀刻液保持20-35℃的温度；

(c)冲洗晶圆、干燥。

10.如权利要求9所述的氧化硅的选择性蚀刻液的使用方法，其特征在于，所述步骤(b)中，氧化硅的选择性蚀刻液保持25℃的温度。