[发明专利]指导半导体制造过程的方法和电子设备

权利要求书

1.一种指导半导体制造过程的方法，所述方法包括：

接收与目标半导体产品对应的半导体制造过程数据；

通过使用技术计算机辅助设计(TCAD)模型来生成与所述半导体制造过程数据对应的第一半导体特性数据，所述TCAD模型是基于包括TCAD模拟数据的训练数据通过机器学习进行训练的；

通过使用紧凑模型来生成与所述半导体制造过程数据对应的第二半导体特性数据，所述紧凑模型是基于第一半导体产品的至少一个半导体特性的测量信息来生成的；

基于所述第一半导体特性数据和所述第二半导体特性数据，通过使用多个对策模型生成分别与多个对策参考对应的多个过程策略；以及

基于所述多个过程策略提供与所述目标半导体产品对应的最终过程策略。

2.如权利要求1所述的方法，还包括从用户接收决策权重；

其中提供所述最终过程策略包括基于所述决策权重从所述多个过程策略中确定最终过程策略。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述决策权重包括至少一个半导体特性的优先级次序。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述至少一个半导体特性包括选自半导体产品的电气特性、所述半导体产品的结构特性、所述半导体产品的至少一个元件的电气特性以及所述至少一个元件的结构特性中的至少一个。

5.如权利要求3所述的方法，其中提供所述最终过程策略包括在所述多个过程策略当中将相对于与所述决策权重对应的所述至少一个半导体特性具有高优先级的过程策略确定为所述最终过程策略。

6.如权利要求1所述的方法，还包括接收用于设置与所述目标半导体产品对应的至少一个半导体特性的输出设置，

其中生成所述第一半导体特性数据包括从所述TCAD模型的输出生成包括与所述输出设置对应的所述至少一个半导体特性的所述第一半导体特性数据，以及

生成所述第二半导体特性数据包括从所述紧凑模型的输出生成包括与所述输出设置对应的所述至少一个半导体特性的所述第二半导体特性数据。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述多个对策模型包括第一对策模型和第二对策模型，

其中所述第一对策模型包括基于所述多个对策参考中的第一对策参考而进行训练的决策模型，以及

其中所述第二对策模型包括基于所述多个对策参考中的第二对策参考而进行训练的决策模型。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述多个过程策略包括第一过程策略和第二过程策略，

其中基于所述第一对策参考通过使用所述第一对策模型来生成所述第一过程策略，以及

其中基于所述第二对策参考通过使用所述第二对策模型来生成所述第二过程策略。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述多个对策参考包括选自风险承受度、多个半导体特性中的每一个的优先级次序值以及所述多个半导体特性中的每一个的目标范围中的至少一个。

10.如权利要求1所述的方法，其中基于使用外部测量装备对所述第一半导体产品的多个半导体特性的测量的信息来更新所述紧凑模型。

11.如权利要求1所述的方法，其中生成所述多个过程策略包括：

基于将所述第一半导体特性数据与所述第二半导体特性数据进行比较的结果来生成比较结果数据；以及

通过使用所述多个对策模型，基于所述比较结果数据来生成所述多个过程策略。