[发明专利]高耐热正性光刻胶以及形成光刻胶图案的方案

权利要求书

1.一种高耐热正性光刻胶，其特征在于：其组分及其重量百分数为：20-40％线性酚醛环氧树脂、0.5-1.5％环氧树脂的潜伏型固化剂、1-15％线性酚醛树脂、3-25％重氮类光敏剂、20-65％溶剂、0-2％其他助剂，其中，所述环氧树脂的潜伏型固化剂与线性酚醛环氧树脂的反应固化温度为100-120℃。

2.根据权利要求1所述的高耐热正性光刻胶，其特征在于：所述潜伏型固化剂为双氰胺。

3.根据权利要求1所述的高耐热正性光刻胶，其特征在于：所述潜伏型固化剂为三氮化硼乙胺络合物。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的高耐热正性光刻胶，其特征在于：所述线性酚醛树脂为重均分子量大于2万的线性酚醛树脂。

5.根据权利要求4所述的高耐热正性光刻胶，其特征在于：所述线性酚醛树脂的重均分子量不超过3.5万。

6.根据权利要求1所述的高耐热正性光刻胶，其特征在于：所述添加剂包括粘结促进剂和表面活性剂，所述粘结促进剂的含量为0.2-1％，所述表面活性剂的含量为0.3-1％。

7.根据权利要求6所述的高耐热正性光刻胶，其特征在于：所述粘结促进剂为三聚氰胺。

8.根据权利要求6所述的高耐热正性光刻胶，其特征在于：所述表面活性剂为多苯环多羟基酚类。

9.根据权利要求1所述的高耐热正性光刻胶，其特征在于：所述重氮类光敏剂为重氮萘醌类光敏剂；所述溶剂的沸点不超过100℃。

10.一种形成光刻胶图案的方法，其特征在于，所述方法包括：

(1)在目标层上涂覆如权利要求1-9任意一项所述的高耐热正性光刻胶以形成光刻胶层；

(2)利用掩膜将所述光刻胶层部分曝光；

(3)除去所述光刻胶层的曝光部分以形成光刻胶图案；

(4)通过所述光刻胶图案作为掩膜使所述目标层图案化；

其中步骤(1)中，光刻胶涂覆在目标层之后，在80-95℃温度范围预烘烤以蒸发除去其中的溶剂，步骤(3)中，通过显影液显影后，先在100-120℃使潜伏型固化剂固化线性酚醛环氧树脂，再在130-150℃进行烘坚膜以形成光刻胶图案。