[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审
申请号: | 202010876608.6 | 申请日: | 2020-08-27 |
公开(公告)号: | CN112466776A | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 田中澄 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明提供一种对基片进行处理的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括:能够在上表面载置基片并对所载置的该基片进行加热的载置台;构成为能够从上述载置台的上表面伸出或没入该上表面,并且能够支承基片的基片支承销;和光照射机构,其对载置于上述载置台的上表面的基片中的与上述基片支承销的伸出或没入位置对应的特定的部分照射光,以对该特定的部分进行加热。根据本发明,在用载置台来对载置于基片支承销所伸出或没入的载置台的上表面的基片进行加热的情况下,能够改善基片的温度的面内均匀性。
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。
背景技术
在专利文献1中公开了一种基片处理装置,其在对基片进行高温处理的情况下,能够防止由于处理气体的回流等而使基片处理的均匀性受到恶劣影响。该基片处理装置包括基座、升降驱动装置、多个基片支承销和移动阻止部件。基座水平地配置,能够将基片放置在上表面以对其进行支承。升降驱动装置在支承基片的第1位置与比该第1位置低的等待进行基片的支承的第2位置之间升降驱动基座。基片支承销相对于基座在上下方向上可移动地被支承,基座被定位在第2位置时,支承基片。移动阻止部件在使基座从第1位置移动到第2位置时,阻止基片支承销向下方移动。在基座形成有用于插入基片支承销的销插入孔。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平11-111821号公报。
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的技术在用载置台对载置于基片支承销能够伸出或没入的载置台的上表面的基片进行加热的情况下,能够改善基片的温度的面内均匀性。
用于解决问题的技术手段
本发明的一方式是一种对基片进行处理的基片处理装置,其包括:能够在上表面载置基片并对所载置的该基片进行加热的载置台;构成为能够从所述载置台的上表面伸出或没入该上表面,并且能够支承基片的基片支承销;和光照射机构,其对载置于所述载置台的上表面的基片中的与所述基片支承销的伸出或没入位置对应的特定的部分照射光,以对该特定的部分进行加热。
发明效果
依照本发明,在用载置台来对载置于基片支承销能够突入和没入的载置台的上表面的基片进行加热的情况下,能够改善基片的温度的面内均匀性。
附图说明
图1是示意性地表示第1实施方式的作为基片处理装置的成膜装置的结构的概要的说明图。
图2是用于表示第1实施方式中的载置台的开口、支承销与光导入通路的位置关系的载置台的俯视图。
图3是示意性地表示第2实施方式的作为基片处理装置的成膜装置的概要结构的说明图。
图4是用于表示第2实施方式中的载置台的开口、支承销与光导入通路的位置关系的载置台的俯视图。
图5是表示光导入通路的形成位置的另一例的图。
附图标记说明
1 成膜装置
20 载置台
30 支承销
70 光照射机构
W 晶片。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造