[发明专利]等离子体处理装置及处理基板的方法

说明书

本发明所公开的一种等离子体处理装置具备腔室、基板支撑器、等离子体生成部以及第1和第2电磁铁组件。基板支撑器配置于腔室内。基板支撑器上的基板的中心位于腔室的中心轴线上。等离子体生成部构成为在腔室内生成等离子体。第1电磁铁组件构成为包括一个以上的第1环状线圈，且配置于腔室上或其上方，并且在腔室内生成第1磁场。第2电磁铁组件构成为包括一个以上的第2环状线圈，且在腔室内生成第2磁场。第2磁场在基板支撑器上的基板的中心降低第1磁场的强度。

技术领域

本发明的示例性实施方式涉及一种等离子体处理装置及处理基板的方法。

背景技术

电子设备的制造中，对基板进行等离子体处理。等离子体处理要求基板的径向上的均匀性。为了提高基板的径向上的等离子体处理的均匀性，日本特开2017-73518号公报(专利文献1)使用具备电磁铁的等离子体处理装置。日本特开2017-73518号公报公开有具备电磁铁的等离子体处理装置。电磁铁设置于腔室上方。电磁铁具有绕腔室的中心轴线卷绕的线圈。电磁铁的中心轴线沿垂直方向延伸。基板以其中心位于中心轴线上的方式载置于基板支撑器上。

作为等离子体处理的一种，已知有相对于基板的硅膜的等离子体蚀刻。硅膜通过来自由溴化氢气体和/或氯气体生成的等离子体的化学物种进行蚀刻。关于这种等离子体处理，记载于日本特开2003-218093号公报。

发明内容

本发明提供如下技术，抑制在具备具有绕腔室的中心轴线卷绕的线圈的电磁铁的等离子体处理装置中进行的等离子体处理的处理速度在基板的中心部分局部地变高。

在一个示例性实施方式中提供等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支撑器、等离子体生成部、第1电磁铁组件及第2电磁铁组件。腔室具有中心轴线。基板支撑器配置于腔室内。基板支撑器上的基板的中心位于中心轴线上。等离子体生成部构成为由供应到腔室内的处理气体生成等离子体。第1电磁铁组件构成为包括一个以上的第1环状线圈，且配置于腔室上或其上方，并且在腔室内生成第1磁场。第2电磁铁组件构成为包括一个以上的第2环状线圈，且在腔室内生成第2磁场。第2磁场在基板支撑器上的基板的中心降低第1磁场的强度。

根据一个示例性实施方式，能够抑制在具备具有绕腔室的中心轴线卷绕的线圈的电磁铁的等离子体处理装置中进行的等离子体处理的处理速度在基板的中心部分局部地变高。

附图说明

图1是概略表示一个示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。

图2是表示多个第1电磁铁的一例的俯视图。

图3是表示第2电磁铁的一例的俯视图。

图4是处理一个示例性实施方式所涉及的基板的方法的流程图。

图5是一例的基板的局部放大剖视图。

具体实施方式

以下，对各种示例性实施方式进行说明。

在一个示例性实施方式中提供等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支撑器、等离子体生成部、第1电磁铁组件及第2电磁铁组件。腔室具有中心轴线。基板支撑器配置于腔室内。基板支撑器上的基板的中心位于中心轴线上。等离子体生成部构成为由供应到腔室内的处理气体生成等离子体。第1电磁铁组件构成为包括一个以上的第1环状线圈，且配置于腔室上或其上方，并且在腔室内生成第1磁场。第2电磁铁组件构成为包括一个以上的第2环状线圈，且在腔室内生成第2磁场。第2磁场在基板支撑器上的基板的中心降低第1磁场的强度。