[发明专利]一种可控硅的制作方法

说明书

本发明涉及一种可控硅的制作方法，制作圆形PNP结构硅片；将钼片层、铝箔和所述PNP结构硅片进行烧结成为一个整体，记为集成芯片；将所述集成芯片进行蒸铝，使所述集成芯片的上端面形成铝层；对蒸铝后的所述集成芯片通过合金炉进行合金；将合金后的所述集成芯片按照各所述钼片的边进行分割，获得N个单独的芯片。本发明通过集成烧结、集成蒸铝、集成合金的方式，提高可控硅生产效率，同时提高硅片的利用率。

技术领域

本发明涉及硅制作技术领域，特别是涉及一种可控硅的制作方法。

背景技术

目前，可控硅制作的原有工艺主要解决小直径硅片供应问题，但对工时、能耗效率低，且割圆工艺存在以下问题：1、机械割圆需要用石蜡粘住后割圆①对中精准度差②粘蜡去蜡清洗耗时、耗工、耗料③粘蜡割圆容易崩边，对成品率有影响④机械割圆有刀口，芯片单元之间要留间隙，硅片利用率低。2、激光割圆由于是高温熔化原理①熔点处有硅片渣分解时容易碎片，影响成品率②激光割圆由于高温熔化对硅片产生应力，再经扩散，金属化后，影响成品率。

发明内容

基于此，本发明的目的是提供一种可控硅的制作方法，通过集成烧结、集成蒸铝、集成光刻、集成合金，提高可控硅的生产效率。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

一种可控硅的制作方法，包括：

制作圆形PNP结构硅片；

将钼片层、铝箔和所述PNP结构硅片进行烧结成为一个整体，记为集成芯片；所述钼片层由N个尺寸相同的圆形钼片平铺构成，所述铝箔位于所述钼片层上方，所述PNP结构硅片位于所述铝箔上方；各相邻所述钼片均相外切，所述钼片层所在平面与所述PNP结构硅片所在平面平行；

将所述集成芯片进行蒸铝，使所述集成芯片的上端面形成铝层；

对蒸铝后的所述集成芯片通过合金炉进行合金；

将合金后的所述集成芯片按照各所述钼片的边进行分割，获得N个单独的芯片。

可选地，所述制作PNP结构硅片，具体包括：

利用掺杂源对圆形硅片进行扩散，获得初级PNP结构；

将所述初级PNP结构的硅片进行氧化；

对氧化后的所述初级PNP结构的硅片的上端面进行第一次光刻；

对所述第一次光刻后的所述PNP结构的硅片的上端面进行磷矿，获得所述PNP结构硅片。

可选地，所述方法还包括：对所述蒸铝后的所述集成芯片的上端面进行第二次光刻。

可选地，所述合金炉的温度为540℃。

可选地，所述圆形PNP结构硅片直径为D，所述钼片数量为7，所述钼片的直径为d，以一个所述钼片为中心钼片，剩余钼片均与所述中心钼片相外切，3*dD。

可选地，所述铝箔为直径为B的圆形，3*dB，BD。

可选地，所述圆形PNP结构硅片的直径D为125mm，所述钼片的直径d为40mm，所述铝箔直径为124mm。

可选地，所述方法还包括对合金后的所述集成芯片按照设定的造型进行台面造型。

可选地，对各所述芯片进行表面钝化。

根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：