[发明专利]一种铟管靶及其制备方法

权利要求书

1.一种铟管靶，其是一种圆柱形结构，其包括圆柱形或圆管形的衬管和设置在所述衬管外的铟料层，其特征在于：其晶粒尺寸小于等于500微米；所述铟管靶的氧含量不大于50ppm；所述铟管靶的金属杂质含量不大于100ppm。

2.一种铟管靶的制备方法，所述铟管靶是一种圆柱形结构，其包括圆柱形或圆管形的衬管和设置在所述衬管外的铟料层，其特征在于，其包括以下步骤：

1）所述衬管固定在外模具的管形的中心孔内，所述衬管外壁和所述外模具中心孔的内壁间具有设定的间隙；

2）将熔化的铟或铟锡合金浇注到外模具的中心孔和衬管之间的缝隙里，形成所述铟料层；

3）自然冷却至室温后，所述铟料层已固化附着在所述衬管上，形成所述铟管靶，打开所述外模具，取出所述铟管靶；

4）把所述铟管靶固定在车床上，通过旋压的方式进行塑形加工，将所述铟料层的厚度减少预设值；

5）对所述铟料层进行车削加工，车削加工去除的厚度大于等于1mm；

6）将所述铟管靶进行抛光处理，以使得所述铟管靶的粗糙度小于等于Ra1.6μm；

7）用盐酸腐蚀所述铟管靶的表面，显现晶粒晶界，以检验晶粒平均大小，获得晶粒尺寸小于等于500微米的合格品。

3.根据权利要求2所述的一种铟管靶的制备方法，其特征在于：所述步骤4）中，在车床上安装旋压刀具，轴向走刀，对所述铟管靶进行多次旋压加工，每次旋压加工时所述旋压刀具压下量为所述预设值的20%~40%。

4.根据权利要求2所述的一种铟管靶的制备方法，其特征在于：所述步骤2）中，把纯度4N以上、金属杂质含量不大于100ppm的铟锭，在氩气保护的电阻炉内熔化，在溶液温度达到200~230℃时，浇铸在所述外模具中。

5.根据权利要求4所述的一种铟管靶的制备方法，其特征在于：所述步骤2）中，铟锭的纯度为5N。

6.根据权利要求2所述的一种铟管靶的制备方法，其特征在于：所述铟锡合金的锡含量为0~50wt%。

7.根据权利要求2所述的一种铟管靶的制备方法，其特征在于：所述衬管为钛管或不锈钢管。

8.根据权利要求2所述的一种铟管靶的制备方法，其特征在于：所述铟靶材的氧含量不大于50ppm。

9.根据权利要求2所述的一种铟管靶的制备方法，其特征在于：所述步骤7）中，通过光学显微镜放大800倍，对所述铟靶材表面拍照，并对获得的照片通过积分法测算平均晶粒大小。

10.根据权利要求2所述的一种铟管靶的制备方法，其特征在于：所述衬管外壁和所述外模具中心孔的内壁间设定的间隙为8mm，所述步骤4）中的预设值为2mm；或所述衬管外壁和所述外模具中心孔的内壁间设定的间隙为12mm，所述步骤4）中的预设值为3mm。