[发明专利]一种包覆型碳硅负极材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010877236.9 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN111960421B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 贺川;杨敏;刘金旭;冯新娅;蔡奇 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C01B32/05;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 包覆型碳硅 负极 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种包覆型碳硅负极材料的制备方法，由以下步骤组成：
(1)将聚四氟乙烯颗粒和硅颗粒混合后进行球磨，得到混合粉体；
(2)将所述步骤(1)得到的混合粉体点燃，进行氧化还原反应，得到包覆型碳硅负极材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中聚四氟乙烯颗粒的粒径为100nm～50μm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中硅颗粒的粒径为100nm～5μm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中球磨的转速为200～500rpm。
5.根据权利要求1或4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中球磨的时间为1～10h。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合粉体中聚四氟乙烯的质量分数为30～80％，所述混合粉体中硅的质量分数为20～70％。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中混合粉体点燃的操作在密闭容器中进行。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述密闭容器中的气氛为空气、氩气或氮气。
9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述密闭容器的压力为10Pa～1MPa。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中包覆型碳硅负极材料的粒径为20nm～1μm。
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