[发明专利]半导体缺陷扫描程式建立方法及其建立系统

说明书

本发明公开了一种半导体缺陷扫描程式建立方法，包括选择工艺平台和工艺流程；在上述工艺平台和工艺流程下，选择基准产品；采集基准产品不同工艺层次后的缺陷扫描程式数据，建立数据库；将新产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数与基准产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数进行比较；若无差异，则对新产品定义缺陷扫描区域后使用基准产品对应层级的缺陷程式参数一次性建立新产品扫描程式；若存在差异，则将该新产品作为基准产品建立数据库。本发明还公开了一种半导体缺陷扫描程式建立系统。本发明在新产品投产时能一次性自动建立该产品全工艺流程缺陷扫描程式，能大幅提高缺陷扫描程式建立效率，提高生产率。

技术领域

本发明涉及半导体生产制造领域，特别是涉及一种半导体缺陷扫描程式建立方法。本发明还涉及一种半导体缺陷扫描程式建立系统。

背景技术

着半导体制造技术的日新月异，产品器件的线宽在不断减小，而缺陷对产品的良率也会产生更大的破坏，因此提高晶圆缺陷的捕获能力也成为提升半导体良率的重要手段。缺陷检测扫描电镜在分析缺陷、减少缺陷，提升良率的过程中发挥着重要的作用。如何精确自动检测晶圆的缺陷是一项复杂而有挑战性的工作。缺陷检测技术已经成为集成电路产业的关键技术。集成电路制造过程中线上缺陷的监控方法主要是通过缺陷扫描机台对晶圆进行扫描，得到晶圆上的缺陷数量及分布，经过缺陷观测机台对缺陷进行拍照得到缺陷照片。

现有技术中，检测缺陷扫描程式灵敏度的方法是通过扫描具有缺陷的晶圆，分析所有被扫描出缺陷尺寸的大小，将所被扫描出缺陷的最小尺寸作为缺陷扫描程式的灵敏度。现有的晶元代工厂一般会存在多个工艺平台，多种产品并存的生产方式。同一工艺平台下又由于工艺存在细微差别而存在多个产品号的现象。目前针对不同产品号，缺陷检测扫描程式需要重新建立，耗费大量的人力资源和工程机时。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明要解决的技术问题是提供一种在新产品投产时能一次性自动建立该产品全工艺流程缺陷扫描程式的半导体缺陷扫描程式建立方法。

本发明要解决的另一技术问题是提供一种在新产品投产时能一次性自动建立该产品全工艺流程缺陷扫描程式的半导体缺陷扫描程式建立系统。

为解决上述技术问题，本发明提供的半导体缺陷扫描程式建立方法，包括以下步骤：

S1，选择工艺平台和工艺流程；

S2，在上述工艺平台和工艺流程下，选择基准产品；

S3，采集基准产品不同工艺层次后的缺陷扫描程式数据，建立数据库；

S4，将新产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数与基准产品的工艺平台、工艺流程以及对应材料参数进行比较；

若无差异，则对新产品定义缺陷扫描区域后使用基准产品对应层级的缺陷程式参数一次性建立新产品扫描程式；

若存在差异，则将该新产品作为基准产品建立数据库。

可选择的，进一步改进所述的半导体缺陷扫描程式建立方法，实施步骤S3时，有源区氧化层沉积后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。

可选择的，进一步改进所述的半导体缺陷扫描程式建立方法，实施步骤S3时，有源区刻蚀后，采集工艺参数包括：入射光强、聚焦数值、对比窗口尺寸、各扫描区域的training光强和指定为缺陷的信噪比。