[发明专利]改善铜互连工艺中丘状凸起缺陷的方法在审
| 申请号： | 202010877270.6 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112038286A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 魏想 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 互连 工艺 中丘状 凸起 缺陷 方法 | ||
1.一种改善铜互连工艺中丘状凸起缺陷的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1，形成表面为铜衬底图形的半导体器件；
步骤S2，在所述半导体器件的表面沉积一碳化硅薄膜，以所述碳化硅薄膜作为铜溢出阻挡层，所述碳化硅薄膜在300℃～350℃的条件下沉积；
步骤S3，所述碳化硅薄膜沉积后利用300℃～350℃的低温炉管工艺进行热退火处理，处理时间为20～30分钟；
步骤S4，在所述碳化硅薄膜的表面沉积所需的作为刻蚀阻挡层的氮化硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的改善铜互连工艺中丘状凸起缺陷的方法，其特征在于，在步骤S2中，所述铜溢出阻挡层的厚度为50埃～200埃。
3.根据权利要求1所述的改善铜互连工艺中丘状凸起缺陷的方法，其特征在于，形成所述铜溢出阻挡层的工艺条件包括：压力为1Torr～5Torr、氮气的流量为100sccm～10000sccm、四甲基硅烷的流量为100sccm～1000sccm、高频射频源的工作功率为100W～1000W。
4.根据权利要求1所述的改善铜互连工艺中丘状凸起缺陷的方法，其特征在于，在步骤S2中，所述碳化硅薄膜在350℃的条件下沉积。
5.根据权利要求1所述的改善铜互连工艺中丘状凸起缺陷的方法，其特征在于，在步骤S3中，热退火处理的温度为350℃。
6.根据权利要求1所述的改善铜互连工艺中丘状凸起缺陷的方法，其特征在于，在步骤S4中，所述氮化硅薄膜在400℃的条件下沉积。
7.根据权利要求3所述的改善铜互连工艺中丘状凸起缺陷的方法，其特征在于，所述铜溢出阻挡层的沉积工艺的持续时间为1s～20s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
