[发明专利]改善TiN薄膜连续性的表面处理方法有效
| 申请号： | 202010877282.9 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112038228B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 郝燕霞 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 tin 薄膜 连续性 表面 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善TiN薄膜连续性的表面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1，在硅衬底上生长二氧化硅层；
步骤S2，利用含有强氧化剂的溶液对所述二氧化硅层的表面进行处理，使二氧化硅表面不饱和-OH键作用成稳定的Si-O-Si桥键；
步骤S3，在处理后的二氧化硅层的表面生长TiN薄膜。
2.根据权利要求1所述的改善TiN薄膜连续性的表面处理方法，其特征在于，在步骤S1中，利用CVD等离子体生长二氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的改善TiN薄膜连续性的表面处理方法，其特征在于，在步骤S2中，利用SC1溶液处理所述二氧化硅层的表面。
4.根据权利要求1所述的改善TiN薄膜连续性的表面处理方法，其特征在于，在步骤S3中，在炉管中生长TiN薄膜。
5.根据权利要求1所述的改善TiN薄膜连续性的表面处理方法，其特征在于，在步骤S2中，所述二氧化硅层的表面被处理后形成致密钝化层。
6.根据权利要求2所述的改善TiN薄膜连续性的表面处理方法，其特征在于，所述二氧化硅层的生长温度为50℃~100℃。
7.根据权利要求6所述的改善TiN薄膜连续性的表面处理方法，其特征在于，所述二氧化硅层的生长温度为60℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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