[发明专利]一种滤网及空调器

权利要求书

1.一种滤网，其特征在于，所述滤网由疏水改性后的树脂材料制备得到，所述疏水改性后的树脂材料包括80-98质量％的树脂基材，0.01-5质量％的增韧剂，0.1-5质量％的相容剂，以及1-15质量％的经疏水改性的半导体复合物；

所述经疏水改性的半导体复合物通过硅烷偶联剂处理纳米级半导体复合物制备得到；

所述纳米级半导体复合物选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的至少两种；

所述纳米级半导体复合物粒径小于200nm。

2.根据权利要求1所述的滤网，其特征在于，所述纳米级半导体复合物由第一纳米级半导体和第二纳米级半导体组成，所述第一纳米级半导体占所述纳米级半导体复合物总量的60-95％；所述第二纳米级半导体占所述纳米级半导体复合物总量的5-40％；

所述第一纳米级半导体与所述第二纳米级半导体可选自金属氧化物或非金属氧化物，所述第一纳米级半导体与所述第二纳米级半导体半导体禁带宽度低于8eV。

3.根据权利要求2所述的滤网，其特征在于，

任选地，所述第一纳米级半导体选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的任意一种；

任选地，所述第二纳米级半导体选自二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化铜、氧化铝、氧化铁、氧化亚铜、氧化镍中的至少一种；

所述第一纳米级半导体和第二纳米级半导体不为同一种物质。

4.根据权利要求2所述的滤网，其特征在于，所述纳米级半导体复合物通过溶胶-凝胶法、水热法、气相氧化法、固相法、浸渍法中的任意一种制备得到。

5.根据权利要求4所述的滤网，其特征在于，所述纳米级半导体复合物通过所述溶胶-凝胶法制备得到：

将所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体加入溶剂中，调节pH为4.0-5.5，陈化得到半导体复合物凝胶；烘干、研磨后，煅烧得到所述纳米级半导体复合物；

所述第一纳米级半导体的前驱体可选自金属醇盐、无机盐中的一种；所述第二纳米级半导体的前驱体可选自金属醇盐、无机盐中的一种；且所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体不为同一种物质；

所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体的质量比为(1-8):(2-9)；

所述溶剂由乙醇和水组成，所述乙醇和水的质量比为(7-9):(1-3)；

煅烧温度为350-650℃，煅烧时间为0.5-3h。

6.根据权利要求5所述的滤网，其特征在于，所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体选自正硅酸四乙酯、醋酸锌、钛酸四正丁酯、硝酸铁中的任意一种；所述第一纳米级半导体的前驱体与所述第二纳米级半导体的前驱体不为同一种物质。

7.根据权利要求5所述的滤网，其特征在于，所述经疏水改性的半导体复合物通过硅烷偶联剂改性，所述经疏水改性的半导体复合物由以下方法制备得到：

称取所述纳米级半导体复合物加入到水与醇的混合溶剂中配置悬浊液,充分搅拌分散；

将硅烷偶联剂加入悬浊液中，混合均匀，将悬浊液温度调整至15-30℃，并将pH调整为4-6；

所述水与醇的质量比为(1-8)：(2-9)；

过滤、烘干、洗涤得到修饰后的半导体复合物。

8.根据权利要求1所述的滤网，其特征在于，所述疏水改性后的树脂材料包括85-97质量％的树脂基材，0.05-3质量％的增韧剂，0.7-4质量％的相容剂，以及2-10质量％的经疏水改性的半导体复合物。