[发明专利]离线监控介电层沉积工艺对铜电阻的影响的方法在审
| 申请号： | 202010878030.8 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112038250A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 魏想 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离线 监控 介电层 沉积 工艺 电阻 影响 方法 | ||
1.一种离线监控介电层沉积工艺对铜电阻的影响的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1，在裸硅片上沉积保护层；
步骤S2，在所述保护层的表面生长一铜层；
步骤S3，利用化学机械研磨工艺对所述铜层进行减薄处理；
步骤S4，测试研磨后的铜层的电阻，并以测得的电阻值作为前值电阻；
步骤S5，将测试后的硅片进行待测试的介电层沉积工艺中的铜表面预处理步骤；
步骤S6，测试预处理后硅片中的铜层的电阻，并以测得的电阻值作为后值电阻；
步骤S7，所述后值电阻与所述前值电阻的差值即为介电层沉积工艺对铜电阻的影响量。
2.根据权利要求1所述的离线监控介电层沉积工艺对铜电阻的影响的方法，其特征在于，所述介电层工艺中的铜表面预处理步骤包括氢气或氦气热处理步骤、氨气等离子体热处理步骤、硅烷气体热处理步骤。
3.根据权利要求1所述的离线监控介电层沉积工艺对铜电阻的影响的方法，其特征在于，所述保护层为氧化硅层、碳氧化硅层、氮氧化硅层或者氟氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的离线监控介电层沉积工艺对铜电阻的影响的方法，其特征在于，在步骤S1中，所述保护层的厚度为600nm～800nm。
5.根据权利要求4所述的离线监控介电层沉积工艺对铜电阻的影响的方法，其特征在于，所述保护层的厚度为600nm。
6.根据权利要求1所述的离线监控介电层沉积工艺对铜电阻的影响的方法，其特征在于，在步骤S2中，所述铜层的厚度为500nm～1000nm。
7.根据权利要求6所述的离线监控介电层沉积工艺对铜电阻的影响的方法，其特征在于，所述铜层的厚度为1000nm。
8.根据权利要求1所述的离线监控介电层沉积工艺对铜电阻的影响的方法，其特征在于，在步骤S3中，所述铜层减薄处理后的厚度为200nm～400nm。
9.根据权利要求8所述的离线监控介电层沉积工艺对铜电阻的影响的方法，其特征在于，减薄后的所述铜层的厚度为200nm。
10.根据权利要求1所述的离线监控介电层沉积工艺对铜电阻的影响的方法，其特征在于，所述介电层沉积工艺为碳氮化硅工艺或氮化硅工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
